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作者：Eric.Siegel，TI公司 TI 的電容式電流隔離技術在很多方面與光耦合器隔離技術不同，其中最突出的當屬隔離實施。首先，我們來確定一下我們是否理解“隔離”的真正含義。隔離從本質上講是一種保護形勢，允許兩點間的通信，但阻止電流在各點間直接流動。 工作原理 在基于光耦合器的技術中，使用 LED 將信號信息傳輸給接收器，再由接收器將消息發送給電路的其余部分（可以想象成使用手電筒發送摩斯代碼）。其隔離層源自 LED 與鑄模化合物厚度的結合。因此從本質上講，其隔離與構成其封裝的組件相關。在 TI 的電容式技術中，信號信息以通過一系列蝕刻在硅芯片上的電路為基礎。中間是二氧化硅構成的電容器，可通過利用邊緣檢測方案阻隔直接電流流動（可以想象成敲擊墻壁傳送摩斯代碼）。 要了解所有不同點，毫不夸張地說可能需要滿滿一學期的大學課程，不過我們只討論幾個主要方面：部件間變化、絕緣厚度以及質量與可靠性。 部件間變化 變化是絕對的，但變化的粒度是相對的。TI 的隔離技術是一種二氧化硅電容器，以微米級工藝創建，部件間的變化會有，但極其微小。另一方面，光耦合器的隔離在封裝層面上實現，其更像毫米級。該裝配工藝變化和誤差在該級別下自然較大。可以想象一下，每個節點的相對變化和噪聲可能相似，而且與基本規范相比較小，但將光產品與電容式產品相比，您會看到這兩種技術天壤之別的差異，因而其最根本的 DNA 也極為不同。 隔離層厚度 (DTI) 裝配差異決定了光耦合器比 TI 隔離器件大，這是所用材料屬性的結果。隔離層厚度 (DTI) 是常用的衡量標準，相當于隔離層強度。在隔離實例中，與隔離強度有關的真正衡量指標是每微米電壓擊穿，而非純厚度。我們來比較一下硅／PI／鑄模化合物（用于光耦合器）與二氧化硅（用于 TI 電容式隔離）的額定參數：
上表清楚表明，更大并不意味著隔離性能更強。 質量與可靠性 可制造性與裝配也會導致故障率。在查看光耦合器和 TI 隔離器的故障時間 (FIT) 公開數據時，您會發現可靠性數據存在數量級的差異。故障時間實際是指：給定器件樣片集在給定時間內以相同條件工作，會因損耗而出現多少次故障。
TI 隔離器又一次成為絕對的獲勝產品，在 10 億器件數小時工作過程中沒出現一次完全故障，而相同的工作時間內光耦合器的故障次數則多達 369 次。產品離開裝配及測試車間，到達客戶門口后，依然也需要對最終器件進行故障產品挑選，挑選出具有裝配問題或者未達標的產品。 |
