IR推出采用PQFN封裝和銅夾技術的中壓功率MOSFET產品

發布時間：2010-7-2 11:39 發布者：嵌入式公社

關鍵詞： MOSFET , 中壓

國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱 IR) 拓展了 HEXFET功率 MOSFET 產品組合，提供完整的中壓器件系列，它們采用了5x6 mm PQFN封裝及優化銅夾和焊接芯片技術。

新的功率MOSFET采用了IR最新的硅技術來實現基準性能，適用于網絡和電信設備的DC-DC轉換器、AC-DC開關電源（SMPS）及電機驅動開關等開關應用。由于新器件滿足40V到250V的寬泛電壓，所以可提供不同水平的導通電阻（RDS(on)）和柵極電荷（Qg），為客戶的特定應用提供優化的性能和更低成本。

所有器件都具有低熱阻（不到0.5 °C/W），符合MSL1 標準，所采用的環保材料既不含鉛、溴或鹵，也符合有害物質管制指令 (RoHS) 。

產品基本規格

器件編號	封裝	電壓	電流	導通電阻	柵極電荷類型	柵極
IRFH5004TRPBF	PQFN 5x6mm	40 V	100A	2.6 mOhm	73 nC	標準
IRFH5006TRPBF	PQFN 5x6mm	60 V	100A	4.1 mOhm	67 nC	標準
IRFH5106TRPBF	PQFN 5x6mm	60 V	100A	5.6 mOhm	50nC	標準
IRFH5206TRPBF	PQFN 5x6mm	60 V	98A	6.7 mOhm	40 nC	標準
IRFH5406TRPBF	PQFN 5x6mm	60 V	40A	14.4 mOhm	23 nC	標準
IRFH5007TRPBF	PQFN 5x6mm	75 V	100A	5.9 mOhm	65 nC	標準
IRFH5207TRPBF	PQFN 5x6mm	75 V	71A	9.6 mOhm	39 nC	標準
IRFH5010TRPBF	PQFN 5x6mm	100 V	100A	9.0 mOhm	65 nC	標準
IRFH5110TRPBF	PQFN 5x6mm	100 V	63A	12.4 mOhm	48 nC	標準
IRFH5210TRPBF	PQFN 5x6mm	100 V	55A	14.9 mOhm	39 nC	標準
IRFH5015TRPBF	PQFN 5x6mm	150 V	56A	31 mOhm	33 nC	標準
IRFH5020TRPBF	PQFN 5x6mm	200 V	41A	59 mOhm	36 nC	標準
IRLH5034TRPBF	PQFN 5x6mm	40 V	100A	最大2.4 mOhm	43 nC	邏輯電平
IRLH5036TRPBF	PQFN 5x6mm	60 V	100A	最大4.4 mOhm	44 nC	邏輯電平
IRLH5030TRPBF	PQFN 5x6mm	100 V	100A	最大9.0 mOhm	44 nC	邏輯電平

新器件現已接受訂單，數據表和應用說明已刊登于 IR 的網站 http://www.irf.com。

本文地址：http://www.qingdxww.cn/thread-14319-1-1.html 【打印本頁】

本站部分文章為轉載或網友發布，目的在于傳遞和分享信息，并不代表本網贊同其觀點和對其真實性負責；文章版權歸原作者及原出處所有，如涉及作品內容、版權和其它問題，我們將根據著作權人的要求，第一時間更正或刪除。

網友評論

貿澤電子有獎問答視頻，答對領10元微信紅包

国产毛片a精品毛-国产毛片黄片-国产毛片久久国产-国产毛片久久精品-青娱乐极品在线-青娱乐精品

IR推出采用PQFN封裝和銅夾技術的中壓功率MOSFET產品

相關文章

網友評論

廠商推薦

相關視頻