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國內第三代半導體企業清純半導體今日宣布成功推出第三代碳化硅（SiC）金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）技術平臺，并發布首款主驅芯片S3M008120BK。該芯片在常溫下的導通電阻（R ON）低至8mΩ，比導通電阻系數（Rsp）優化至2.1 mΩ·cm²，達到國際先進水平。這一突破標志著國產碳化硅器件性能全面對標國際領先廠商，進一步推動新能源汽車、光伏儲能等高壓高頻場景下的能源效率升級。 技術創新：Rsp全球領先，動態性能全面優化 第三代碳化硅MOSFET技術平臺深度融合多項專利設計，通過材料結構與制造工藝的協同創新，實現了導通電阻與動態特性的雙重突破。 1、性能指標領跑行業 超低導通電阻：S3M008120BK芯片導通電阻低至8mΩ，比導通電阻系數Rsp僅為2.1 mΩ·cm²（較上一代降低約20%），刷新同類產品世界紀錄。 高溫穩定性強：在175℃高溫環境下，導通電阻僅上升約50%，確保高功率場景下的可靠性。 動態損耗優化：通過改進體二極管恢復特性，反向恢復電流峰值Irrm降低近30%，電壓過沖現象顯著改善，開關速度提升15%-20%。 
清純半導體1、2、3代產品比電阻Rsp變化 2、兼容性與可靠性并存 該芯片延續前兩代產品的低短路耐受特性，通過IEC 60747-17標準認證，并滿足-40℃至175℃寬溫域運行需求，適配新能源汽車電驅系統、光伏逆變器等嚴苛場景。 市場需求驅動：降本增效應對行業“效率瓶頸” 近年來，新能源汽車、儲能系統及工業電源市場對高效功率器件的需求激增。然而，傳統硅器件在高電壓、高頻應用中面臨損耗高、散熱難等問題。清純半導體第三代技術通過降低導通損耗和開關損耗，助力終端產品實現以下升級： 新能源汽車：采用S3M008120BK電驅逆變器的車輛，續航里程有望提升5%-10%，800V高壓平臺快充效率進一步提高。 光伏儲能：高頻化MOSFET減少無源器件體積，系統功率密度提升超10%，助力全球碳中和目標推進。
S3M008120BK芯片輸出特性 據TrendForce數據顯示，全球碳化硅器件市場規模預計2026年突破89億美元，中國市場占比將超40%。清純半導體的技術突破恰逢其時，為其在高端市場搶占份額奠定基礎。 產業化布局：從設計到量產，加速國產替代 清純半導體采取“設計+代工”協同模式，與國內頭部晶圓廠深度合作，確保技術快速落地。第三代產品已完成車規級AEC-Q101認證，并進入主流車企驗證階段。公司CEO表示：“我們將持續擴大產能，計劃2025年底實現第三代產品月產能突破2萬片/月，滿足新能源行業爆發式增長需求。” 行業反響：技術對標國際，供應鏈自主可控 業內專家認為，清純半導體的技術迭代速度與產業化能力已躋身全球第一梯隊。對比國際廠商，其產品在性能、可靠性及成本維度形成差異化競爭優勢： 技術對標：Rsp參數超越國際龍頭Wolfspeed、英飛凌同代產品。 成本優勢：依托本土供應鏈與規模化生產，器件價格降低30%-40%。 生態建設：已與國內30余家客戶達成深度合作，覆蓋新能源汽車、光伏、充電樁等領域。 |
