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作為嵌入式閃存的替代方案，該NVM IP無需額外光罩和附加工藝步驟 新思科技公司（Synopsys）日前宣布：其全新DesignWare中等容量非易失性存儲器（NVM）IP產品開始供貨。Medium Density NVM IP填補了小容量NVM和大容量閃存之間的空白，且無需額外的光罩或工藝步驟，從而使芯片成本降低多達25%。在把微控制器集成到面向智能傳感器、電源管理和觸摸屏控制器應用的模擬IC設計中時，中等容量NVM IP提供最高64 Kbyte的嵌入式存儲，消除了對外部EEPROM或閃存的需求。 “今天，那些試圖把微控制器嵌入到其IC中的開發者們被迫支付昂貴的晶圓費用以支持嵌入式閃存，或者使用分立的外部存儲器，而這兩種方式都是代價高昂的方案，”Semico Research Corp.高級市場分析師Richard Wawrzyniak說道。“Synopsys的DesignWare中等容量NVM IP填補了小容量非易失性存儲器和大容量嵌入式閃存之間的空白，對于那些尋求在不增加額外成本而增加數千byte非易失性存儲器的開發者而言，Synopsys的DesignWare中等容量 NVM IP是一個理想的選擇。” DesignWare中等容量NVM IP產品為5V CMOS和BCD工藝技術帶來了閃存功能。誤碼校正（ECC）功能提供了額外的系統可靠性，同時減少了集成工作量。與小容量NVM方案相比，這款NVM IP密度提升5 倍；同時還提供了40納秒的讀取時間，可提供快速的讀取時間和實時計算。通過在Synopsys實驗室內完成的驗證，包括嚴格的性能測試、認證和可靠性測試，該NVM IP可支持-40℃~125℃的溫度范圍，數據可保存10年。 “隨著把微控制器集成到模擬IC之中而需要數量越來越多的存儲器，設計業者需要成本更低的存儲器解決方案，同時不犧牲功能，”Synopsys IP和系統原型市場副總裁John Koeter說道。“Synopsys的DesignWare中等容量NVM IP為設計業者提供比閃存成本更低的方案，同時提供了所有必需的功能，來幫助他們以更小風險把NVM集成到系統級芯片（SoC）之中。” 供貨 使用臺積電（TSMC）180納米5V CMOS和BCD工藝技術的DesignWare中等容量NVM IP現已對早期采用者供貨。 |
