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器件具有25A的連續(xù)漏極電流和2500V ESD保護(hù)能力，采用PowerPAK SC-70封裝，占位面積為2mm x 2mm Vishay推出采用超小尺寸、熱增強(qiáng)PowerPAK SC-70封裝的新款20V N溝道TrenchFET功率MOSFET---SiA466EDJ。Vishay Siliconix SiA466EDJ的占位面積為2mm x 2mm，具有業(yè)內(nèi)最高的封裝限制電流，可使便攜式電子產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)更高的功率密度和可靠性。它同時(shí)也是業(yè)內(nèi)唯一具有±20V的額定VGS，提供集成ESD保護(hù)功能的此類器件。 
SiA466EDJ的25A封裝限制電流比最接近的器件高13%。在負(fù)載開(kāi)關(guān)應(yīng)用里，高額定電流為大涌入電流和短路等故障情況提供了額外的安全裕量。MOSFET集成ESD保護(hù)功能，保護(hù)能力達(dá)到2500V，能防止因觸摸或人體接觸而導(dǎo)致的靜電破壞。 今天推出的器件是多用途的電源管理解決方案，可用于便攜式電子產(chǎn)品。器件具有大電流和出色的導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積優(yōu)值系數(shù)(FOM)，適用于無(wú)線和快速電池充電器、智能手機(jī)、平板電腦、筆記本電腦和電子鎖里面的同步降壓轉(zhuǎn)換器和負(fù)載開(kāi)關(guān)。 為提高高頻開(kāi)關(guān)應(yīng)用里的效率，SiA466EDJ在10V、6V和4.5V下的導(dǎo)通電阻分別為9.5 mΩ、11.1mΩ和13.0mΩ，可減少導(dǎo)通損耗，典型柵極電荷為6.3nC，柵極電阻為0.9Ω，使開(kāi)關(guān)損耗最小化。MOSFET經(jīng)過(guò)了100%的RG測(cè)試，符合RoHS，無(wú)鹵素。 SiA466EDJ現(xiàn)可提供樣品，并已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，大宗訂貨的供貨周期為十三周。 |
