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Vishay推出新款40V TrenchFET功率MOSFET,為汽車應用提供更小且更節能的解決方案

發布時間:2015-4-1 13:12    發布者:eechina
關鍵詞: 功率MOSFET , 汽車應用
器件是業內首顆通過AEC-Q101認證的完全無鉛的MOSFET,占位面積8mm x 8mm

Vishay發布新的8mm x 8mm x 1.8mm PowerPAK 8x8L封裝40V TrenchFET功率MOSFET-SQJQ402E,目的是為汽車應用提供可替代常用D2PAK和DPAK封裝,實現大電流,并能節省空間和功耗的方案。該款40V TrenchFET功率MOSFET是業內首顆使用這種8mm x 8mm占位,通過AEC-Q101認證的MOSFET,首次采用帶有能釋放機械應力的鷗翼引線的8mm x 8mm封裝。



SQJQ402E可在+175℃高溫下工作,為電機驅動、電動助力轉向、傳動控制和噴油驅動等汽車應用提供所需的耐用性和可靠性。器件PowerPAK 8x8L封裝的內部結構使電感最小化,在10V和4.5V下的最大導通電阻為1.5mΩ和1.8mΩ,連續漏極電流高達200A。SQJQ402E表明了Vishay的MOSFET發展路線,這些MOSFET讓設計者在大量汽車應用里能發揮這種封裝的優點。

今天發布的器件還采用為減小PCB焊點應力而專門設計的鷗翼引線,這種應力是由寬溫工作引起的,在汽車應用里會經常碰到。這種方法已經在Vishay更小的5mm x 6mm PowerPAK SO-8L封裝中得到成功應用。D2PAK和DPAK封裝含鉛,而PowerPAK 8x8L超越了目前的RoHS標準,是完全無鉛的。

為了節約PCB空間,降低成本,并在通常需要多個MOSFET的應用中實現更小和更輕的模塊,SQJQ402E具有與采用D2PAK封裝的器件近似的導通電阻和更高的連續電流,而占位面積小60%,高度低60%。與采用DPAK封裝的器件相比,SQJQ402E的導通電阻低一半,電流是其兩倍,高度低21%,占位僅僅多12%,能有效降低功耗。

SQJQ402E現可提供樣品,將在二季度實現量產,大宗訂貨的供貨周期為十三周到十四周。

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