Analog Devices, Inc.(ADI)日前推出了一款專門(mén)用于9 KHz至13 GHz頻段的吸收式單刀雙擲(SPDT)開(kāi)關(guān)HMC1118LP3DE，它具有48dB的高隔離度，在8 GHz條件下運(yùn)行時(shí)僅有0.6dB的低插入損耗。HMC1118LP3DE是ADI公司的新型RF和微波控制產(chǎn)品組合中的第一款產(chǎn)品，展現(xiàn)了硅工藝技術(shù)的固有優(yōu)勢(shì)，與傳統(tǒng)的GaAs（砷化鎵）RF 開(kāi)關(guān)相比具有重大明顯優(yōu)勢(shì)。 這些優(yōu)勢(shì)包括：建立時(shí)間比GaAs快100倍；提供強(qiáng)大的ESD（靜電放電）保護(hù)（達(dá)到2000V，而GaAs僅為250V）；能夠擴(kuò)展開(kāi)關(guān)的低頻端，比GaAs低1000倍，同時(shí)保持高線性度。 
HMC1118LP3DE還提供4W的業(yè)界領(lǐng)先RF功率處理能力，在熱切換工作模式下達(dá)到0.5W。它的熱切換功率處理能力超出了具有相同RF帶寬的競(jìng)爭(zhēng)器件的兩倍，這使工程師能夠在他們的應(yīng)用和系統(tǒng)中提高RF功率，而不會(huì)產(chǎn)生器件損壞的風(fēng)險(xiǎn)。HMC1118LP3DE專為高隔離度進(jìn)行了優(yōu)化，在最大13 GHz的寬工作頻率范圍內(nèi)提供極其平坦的傳遞特性，同時(shí)保持最低9kHz的高信號(hào)保真度。這些特性組合在一起，使得該開(kāi)關(guān)非常適合要求苛刻的測(cè)試和測(cè)量、自動(dòng)化測(cè)試設(shè)備、國(guó)防電子產(chǎn)品、無(wú)線通信應(yīng)用，充當(dāng)傳統(tǒng) GaAs開(kāi)關(guān)的更低成本替代產(chǎn)品。 HMC1118LP3DE SPDT開(kāi)關(guān)的主要特性 •非反射式50歐姆設(shè)計(jì) •正控制：0/+3.3 V •低插入損耗：0.68dB（8GHz時(shí)） •高隔離度：50dB（8GHz時(shí)） •9KHz的低截止頻率 •7.5微秒的快速建立時(shí)間（對(duì)于0.05 dB的最終RF輸出電平） •業(yè)界領(lǐng)先的高功率處理能力： •35.5 dBm的通過(guò)路徑 •27 dBm端接路徑和熱切換應(yīng)用 •高線性度： •P1dB：+37 dBm（典型值） •IIP3：+61 dBm（典型值） •ESD額定值：2-KV HBM 定價(jià)和供貨
查看產(chǎn)品頁(yè)面并下載數(shù)據(jù)手冊(cè)：http://www.analog.com/pr1505212/hmc1118 |
