意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics，簡稱ST）與Carnot STAR（研究應(yīng)用科技）協(xié)會成員，法國普羅旺斯材料、微電子和納米電子研究院（包括IM2NP–CNRS / 艾克斯-馬賽大學(xué) / 土倫大學(xué) / ISEN高等電子與數(shù)字技術(shù)學(xué)院）宣布正式啟用其新設(shè)立的聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室。雙方有著多年的密切合作經(jīng)驗(yàn)，希望可以憑借多項(xiàng)聯(lián)合研發(fā)項(xiàng)目，開發(fā)下一代高可靠性超微（Ultra-miniaturized）電子元器件。
輻射效應(yīng)與電氣可靠性（REER, Radiation Effects and Electrical Reliability）聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室是一個跨地區(qū)的研究機(jī)構(gòu)，匯集馬賽、土倫兩個城市的IM2NP研究人員及位于格勒諾布爾（Grenoble）附近的意法半導(dǎo)體Crolles實(shí)驗(yàn)室的技術(shù)專家。 REER聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室的科學(xué)項(xiàng)目將主攻兩個研究領(lǐng)域：輻射對納米級數(shù)字電路的影響，以及納米級互補(bǔ)金屬氧化半導(dǎo)體（CMOS, Complementary Metal-oxide Semiconductor）技術(shù)的電氣可靠性。這兩個研究方向?qū)τ谝夥ò雽?dǎo)體及其能否研發(fā)可靠性極高的集成電路至關(guān)重要。汽車、網(wǎng)絡(luò)、醫(yī)療、航天和安保等應(yīng)用對集成電路的可靠性有非常高的要求。 在這些應(yīng)用領(lǐng)域中，電子元器件本身具有一些先天限制（包括電場、機(jī)械應(yīng)力、溫度等）和特定環(huán)境限制（特別是自然或人造輻射源的粒子輻射），是當(dāng)今集成電路及下一代集成電路面臨的日益嚴(yán)峻的挑戰(zhàn)。 為預(yù)測并減弱輻射效應(yīng)，半導(dǎo)體工業(yè)需要對這些現(xiàn)象進(jìn)行表征、建模和仿真，而如何有效降低輻射效應(yīng)是新聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室的主要研究目標(biāo)之一。 此外，開發(fā)下一代納米電子技術(shù)必須解決諸多挑戰(zhàn)和障礙，設(shè)計人員必須更清楚地了解在集成電路制造工藝中，每一道工序可能會面臨的問題。聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室的研究范圍從原子級最重要的現(xiàn)象，到系統(tǒng)、材料、芯片物理性質(zhì)以及抗輻射電路設(shè)計。 這些研發(fā)項(xiàng)目將具有全球性的競爭力，主攻最先進(jìn)的微電子技術(shù)，例如28納米及以下的技術(shù)節(jié)點(diǎn)，特別是意法半導(dǎo)體在Crolles開發(fā)的FD-SOI（全耗盡型絕緣層上硅）制造工藝，這讓意法半導(dǎo)體成為全球第一個開發(fā)出最具創(chuàng)新性的世界領(lǐng)先的納米級集成電路。 在開業(yè)不久后，聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室便受邀參加法國企業(yè)局（DGE, Directorate for Enterprises）、法國國際采購局（DGA, French defense procurement agency）主導(dǎo)的ENIAC行動與支持計劃的歐洲CATRENE集群計劃（European CATRENE cluster），參與多項(xiàng)法國國家級、歐洲和國際合作計劃項(xiàng)目。今后五年，聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室預(yù)計將安排高水平博士研究人員，主要參與在法國政府工業(yè)研究培訓(xùn)協(xié)議（CIFRE, industrial agreement for training through research）計劃資助的國家與民間企業(yè)合作研究活動。 |
