|
低插入損耗、高線性度的全新RF電壓可變衰減器支持1MHz 到6GHz，擴展了IDT公司的頻率覆蓋范圍 IDT公司宣布其不斷擴大的射頻電壓可變衰減器（VVA）產(chǎn)品系列新增兩款新產(chǎn)品，使IDT公司RF產(chǎn)品的頻率覆蓋范圍擴大到1 MHz至6 GHz。與該產(chǎn)品系列中的其他成員一樣，F(xiàn)2255 和 F2258器件都可提供業(yè)界領(lǐng)先的低插入損耗和高線性度。 
IDT公司的電壓可變衰減器可為那些需要精確衰減的應(yīng)用提供模擬電壓控制。兩款新器件采用緊湊的3 x 3mm，16引腳TQFN封裝，插入損耗僅為競爭解決方案的一半左右，而IP3性能比競爭的砷化鎵（GaAs）器件好1000倍（30 dB）以上，并且它們都在電壓控制范圍內(nèi)展示了dB線性（線性對數(shù)）衰減特性。這些器件的低插入損耗降低了射頻鏈路的損耗，而他們的高線性度則提升了系統(tǒng)的數(shù)據(jù)速率。 這些全新器件與目前流行的芯片大小匹配，理想適用于基站（2G，3G和4G）、微波基礎(chǔ)設(shè)施、公共安全、便攜式無線通信/數(shù)據(jù)設(shè)備、測試/自動測試設(shè)備（ATE）、軍用系統(tǒng)、聯(lián)合作戰(zhàn)無線系統(tǒng)（JTRS）以及HF、VHF和UHF無線電等應(yīng)用。 IDT公司射頻事業(yè)部總經(jīng)理Chris Stephens介紹說：“與砷化鎵解決方案相比，IDT公司基于硅的RF產(chǎn)品可提供非常出眾的性能，如新器件高達30dB的線性度改善。這些器件是當(dāng)今市場上具有最低插入損耗的VVA產(chǎn)品，并且具有最佳的線性衰減控制特性。” 通過使用基于硅的射頻半導(dǎo)體技術(shù)，IDT的衰減器提供了一種替代傳統(tǒng)砷化鎵半導(dǎo)體技術(shù)的可靠方案。IDT公司的硅技術(shù)具有更佳的RF性能、更強大的靜電放電（ESD）保護、更好的潮濕敏感度等級（MSL）、更高的散熱性能、更低的電流消耗、以及硅技術(shù)經(jīng)過驗證的可靠性等優(yōu)勢。 與引腳兼容的GaAs競爭方案比較，F(xiàn)2258具有高達65dBm的輸入IP3，而 GaAs競爭方案僅為35dBm，最大衰減斜率（slope）為33dB/V 對53dB/V ，6000MHz最低返回?fù)p耗為12.5dB對7dB，最高工作溫度為105℃對85℃。F2255器件支持的頻率范圍可低至1MHz，并具有33dB/V的最大衰減斜率。F2258和 F2255都具有雙向RF端口，支持3V或5V的單一正電源電壓供電，工作溫度范圍是- 40℃至105℃。 |
