如何降低MOSFET損耗并提升EMI性能

超模在此

一味的減少MOSFET的損耗及其他方面的損耗，會(huì)引起EMI問(wèn)題嗎？

超模在此

　MOSFET的損耗主要有以下部分組成：1.通態(tài)損耗；2.導(dǎo)通損耗；3.關(guān)斷損耗；4.驅(qū)動(dòng)損耗；5.吸收損耗；隨著模塊電源的體積減小，需要將開(kāi)關(guān)頻率進(jìn)一步提高，進(jìn)而導(dǎo)致開(kāi)通損耗和關(guān)斷損耗的增加，例如300kHz的驅(qū)動(dòng)頻率下，開(kāi)通損耗和關(guān)斷損耗的比例已經(jīng)是總損耗主要部分了。

　　 MOSFET導(dǎo)通與關(guān)斷過(guò)程中都會(huì)產(chǎn)生損耗，在這兩個(gè)轉(zhuǎn)換過(guò)程中，漏極電壓與漏極電流、柵源電壓與電荷之間的關(guān)系如圖1和圖2所示，現(xiàn)以導(dǎo)通轉(zhuǎn)換過(guò)程為例進(jìn)行分析：

　　t0-t1區(qū)間：柵極電壓從0上升到門(mén)限電壓Uth，開(kāi)關(guān)管為導(dǎo)通，無(wú)漏極電流通過(guò)這一區(qū)間不產(chǎn)生損耗；

　　t1-t2區(qū)間：柵極電壓達(dá)到Vth，漏極電流ID開(kāi)始增加，到t2時(shí)刻達(dá)到最大值，但是漏源電壓保持截止時(shí)高電平不變，從圖1可以看出，此部分有VDS與ID有重疊，MOSFET功耗增大；

　　t2-t3區(qū)間：從t2時(shí)刻開(kāi)始，漏源電壓VDS開(kāi)始下降，引起密勒電容效應(yīng)，使得柵極電壓不能上升而出現(xiàn)平臺(tái)，t2-t3時(shí)刻電荷量等于Qgd，t3時(shí)刻開(kāi)始漏極電壓下降到最小值；此部分有VDS與ID有重疊，MOSFET功耗增大

　　t3-t4區(qū)間：柵極電壓從平臺(tái)上升至最后的驅(qū)動(dòng)電壓（模塊電源一般設(shè)定為12V），上升的柵壓使導(dǎo)通電阻進(jìn)一步減少，MOSFET進(jìn)入完全導(dǎo)通狀態(tài)；此時(shí)損耗轉(zhuǎn)化為導(dǎo)通損耗。

   關(guān)斷過(guò)程與導(dǎo)通過(guò)程相似，只不過(guò)是波形相反而已；關(guān)于MOSFET的導(dǎo)通損耗與關(guān)斷損耗的分析過(guò)程，有很多文獻(xiàn)可以參考，這里直接引用《張興柱之MOSFET分析》的總結(jié)公式如下：



  備注： 為上升時(shí)間，為開(kāi)關(guān)頻率，為下降時(shí)間，為柵極電荷，為柵極驅(qū)動(dòng)電壓 為MOSFET體二極管損耗。


三、MOSFET的損耗優(yōu)化方法及其利弊關(guān)系

　　3-1. 通過(guò)降低模塊電源的驅(qū)動(dòng)頻率減少M(fèi)OSFET的損耗[稍微提一下EMI問(wèn)題及其解決方案]

　　從MOSFET的損耗分析可以看出，開(kāi)關(guān)電源的驅(qū)動(dòng)頻率越高，導(dǎo)通損耗、關(guān)斷損耗和驅(qū)動(dòng)損耗會(huì)相應(yīng)增大，但是高頻化可以使得模塊電源的變壓器磁芯更小，模塊的體積變得更小，所以可以通過(guò)開(kāi)關(guān)頻率去優(yōu)化開(kāi)通損耗、關(guān)斷損耗和驅(qū)動(dòng)損耗，但是高頻化卻會(huì)引起嚴(yán)重的EMI問(wèn)題。金升陽(yáng)DC/DC R3產(chǎn)品，采用跳頻控制方法，在輕負(fù)載情況下，通過(guò)降低模塊電源的開(kāi)關(guān)頻率來(lái)降低驅(qū)動(dòng)損耗，從而進(jìn)一步提高輕負(fù)載條件下的效率，使得系統(tǒng)在待機(jī)工作下，更節(jié)能，進(jìn)一步提高蓄電池供電系統(tǒng)的工作時(shí)間，并且還能夠降低EMI的輻射問(wèn)題；


　　
     3-2.通過(guò)降低、來(lái)減少M(fèi)OSFET的損耗

　    典型的小功率模塊電源（小于50Ｗ）大多采用的電路拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)為反激形式，典型的控制電路如圖３所示；從MOSFET的損耗分析還可以知道：與開(kāi)通損耗成正比、與關(guān)斷損耗成正比；所以可以通過(guò)減少 、來(lái)減少M(fèi)OSFET的損耗，通常情況下，可以減小MOSFET的驅(qū)動(dòng)電阻Rg來(lái)減少、時(shí)間，但是此優(yōu)化方法卻帶來(lái)嚴(yán)重的EMI問(wèn)題；以金升陽(yáng)URB2405YMD-6WR3產(chǎn)品為例來(lái)說(shuō)明此項(xiàng)問(wèn)題：

1）URB2405YMD-6WR3采用10Ω的MOSFET驅(qū)動(dòng)電阻，裸機(jī)輻射測(cè)試結(jié)果如下：


2）URB2405YMD-6WR3采用0Ω的驅(qū)動(dòng)電阻，裸機(jī)輻射測(cè)試結(jié)果如下：


　　從兩種不同的驅(qū)動(dòng)電阻測(cè)試結(jié)果來(lái)看，雖然都能夠通過(guò)EN55022的輻射騷擾度的CLASS A等級(jí)，但是采用0歐姆的驅(qū)動(dòng)電阻，在水平極化方向測(cè)試結(jié)果的余量是不足3dB的，該方案設(shè)計(jì)不能被通過(guò)。

　　3-3.通過(guò)降低吸收電路損耗來(lái)減少損耗

　　在模塊電源的設(shè)計(jì)過(guò)程中，變壓器的漏感總是存在的，采用反激拓?fù)涫浇Y(jié)構(gòu)，往往在MOSFET截止過(guò)程中，MOSFET的漏極往往存在著很大的電壓尖峰，一般情況下，MOSFET的電壓設(shè)計(jì)余量是足夠承受的，為了提高整體的電源效率，一些電源廠家是沒(méi)有增加吸收電路（吸收電路如圖3標(biāo)注①RCD吸收電路和②RC吸收電路）來(lái)吸收尖峰電壓的。但是，不注意這些吸收電路的設(shè)計(jì)往往也是導(dǎo)致EMI設(shè)計(jì)不合格的主要原因。以金升陽(yáng)URF2405P-6WR3的吸收電路（采用如圖3中的②RC吸收電路）為例：
1）驅(qū)動(dòng)電阻Rg為27Ω，無(wú)RC吸收電路，輻射騷擾度測(cè)試結(jié)果如下：