|
Stratix 10 DRAM SiP器件在單個封裝中高效的集成了FPGA和寬帶存儲器管芯，突破了帶寬瓶頸 Altera公司(Nasdaq: ALTR)今天公開業界第一款異構系統級封裝(SiP，System-in-Package)器件，集成了來自SK Hynix的堆疊寬帶存儲器(HBM2)以及高性能Stratix 10 FPGA和SoC。Stratix 10 DRAM SiP代表了新一類器件，其特殊的體系結構設計滿足了高性能系統對存儲器帶寬最嚴格的要求。 數據中心、廣播、固網和高性能計算等系統要處理的數據量不斷攀升，需要的帶寬非常高。相對于目前的分立DRAM解決方案，Stratix 10 DRAM SiP的存儲器帶寬提高了10倍。 Altera是將這種突破性的3D堆疊存儲器技術和FPGA集成在一起的第一家公司。Stratix 10 DRAM SiP支持用戶以高功效的方式定制其工作負載，獲得最大存儲器帶寬。Altera與數十家客戶積極合作，在其下一代高端系統中集成了這些DRAM SiP產品。 Altera的異構SiP產品是使用Intel的嵌入式多管芯互聯橋接(EMIB，Embedded Multi-Die Interconnect Bridge)技術來實現的。EMIB技術采用高性能、高密度硅片短橋接在單個封裝中將多個管芯連接起來。EMIB技術的管芯之間走線非常短，支持Altera以高性價比方式構建異構SiP器件，與基于中介層的解決方案相比，性能更好，吞吐量更大，而功耗更低。 Altera企業戰略和營銷資深副總裁Danny Biran評論說：“我們很多客戶在系統中實現需要大量計算的任務時，面臨最大的一個難題是怎樣支持越來越高的存儲器帶寬需求，這些系統包括機器學習、大數據分析、圖像識別、工作負載加速和8K視頻處理等。Altera在單個封裝中同時實現了業界性能最好的FPGA與寬帶存儲器，在滿足這些系統需求方面有自己的優勢。還沒有其他可編程解決方案在性能、功效和存儲器帶寬上達到Stratix 10 DRAM SiP的水平。” Altera的異構SiP策略是在單個封裝中集成單片FPGA和先進的組件，例如，存儲器、處理器、模擬、光和各類硬核協議等。Altera高度集成的SiP產品將滿足通信、高性能計算、廣播和軍事領域高端應用最苛刻的性能和存儲器帶寬需求。www.altera.com/stratix10上的白皮書詳細介紹了Altera的異構SiP策略。 在極小的外形封裝中，SK Hynix的寬帶存儲器不但帶寬非常高，而且功耗低于競爭存儲器解決方案。寬帶存儲器(HBM2，High-Bandwidth Memory)縱向堆疊了DRAM管芯，使用直通硅片過孔(TSV，through-silicon vias)和微焊球將其連接起來。在異構SiP中集成HBM2，這種實現方式使得Altera能夠將DRAM存儲器盡可能靠近FPGA管芯進行封裝，從而縮短了走線長度，以最低功耗實現最大存儲器帶寬。 高性能應用推動了業界對HBM2 DRAM技術的需求。SK Hynix美國技術營銷副總裁Kevin Widmer說：“達到每秒256GB帶寬，每比特功耗降低66%，HBM2開辟了新應用領域，這在以前是不可想象的。在單個系統級封裝中集成高性能FPGA和HBM2，為高能效、寬帶計算功能樹立了重大的里程碑。” 供貨信息 客戶現在可以使用快速前向編譯性能評估工具啟動其Stratix 10設計。Altera將于2016年開始發售Stratix 10 FPGA和SoC，于2017年開始發售Stratix 10 DRAM SiP產品。www.altera.com/technology上更詳細的介紹了Altera的Stratix 10 DRAM SiP。關于Altera的Stratix 10 DRAM SiP產品的詳細信息，請聯系您當地的Altera銷售代表。 |
