飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor) 宣布推出一款具有低RDS(ON) (最大值17mOhm)和優化品質因數(Figure of Merit; FOM) (最大值17m Ohm * 33nCº)的150V MOSFET器件FDMS86200，以滿足DC-DC設計人員對具有較低開關損耗、較低噪聲和緊湊占位面積之MOSFET產品的需求。該器件利用飛兆半導體先進的工藝技術和封裝技術，以及系統專有技術，并采用5mm x 6mm MLP封裝，具有效率高、功耗較低和散熱較少的特性。
FDMS86200使用屏蔽柵極MOSFET技術來設計，具有較低的開關噪聲和振鈴噪聲，有助于降低EMI。如果沒有這項專有技術功能，設計人員則需被迫選擇一個200V MOSFET器件，從而令到RDS(ON)增加一倍，導致總體效率降低。飛兆半導體的FDMS86200 還帶有經改進的體二極管，能夠通過減少損耗來提升開關性能。 飛兆半導體公司提供最廣泛的MOSFET產品系列，讓設計人員能夠選擇多種技術，找到滿足應用需求的合適MOSFET。飛兆半導體擁有獨特的功能、工藝和封裝創新及總體系統專有技術之組合，而其MOSFET產品系列具有廣泛的擊穿電壓范圍(20V-1000V)，以及從1mm x 1.5mm WL-CSP到20mm x 26mm TO264封裝的先進封裝技術，能夠推動電子制造商實現更出色的創新。 價格: 訂購1,000個，單價為1.92美元。供貨: 現提供樣品。交貨期 ：收到訂單后12至15周 產品的 PDF 格式數據表可從此網址獲取：http://www.fairchildsemi.com/ds/FD/FDMS86200.pdf 查詢更多信息，請聯絡飛兆半導體香港辦事處，電話：852-2722-8338；深圳辦事處，電話：0755-8246-3088；上海辦事處，電話：021-3250-7688；北京辦事處，電話：010-6408-8088 或訪問公司網站：www.fairchildsemi.com。 |
