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雖然臺積電在16nm FinFET工藝量產上略遜于英特爾、三星等巨頭，但在10nm的工藝上卻處于暫時領先的位置；日前，臺積電宣布10nmFinFET工藝已投入量產。 
在不久前的股東會議上，臺積電高調公布了2016年二季度運營及技術發展情況，并將資本支出提高至105億美元（比英特爾高出近5億美元），顯示出股東對公司未來的發展非常看好。 會議上，臺積電CEO劉德音公布了工藝進展：已經有三個客戶使用10nm工藝完成流片。雖然劉德音沒有公布這三位電子元器件和IC客戶的具體信息，但能用得起10mn工藝芯片的也就是蘋果（A10）、聯發科（X30）和海思（新一代麒麟處理器）。劉德音還表示，年底前將會收到更多客戶的10nm芯片流片訂單。 此外，臺積電還計劃在2020年完成5nm工藝的研發，預計在量產（7nm/5nm工藝）的時候使用EUV光刻工藝。以提高密度、簡化工藝并降低成本。EUV是新一代半導體工藝突破的關鍵，利用遠紫外光的EUV曝光技術作為可使電子元器件和IC等半導體進一步微細化，因此備受期待。早期臺積電和三星還為了首先使用EUV工藝打過嘴仗。
目前臺積電公司已經在7nm節點研發上使用了EUV工藝，實現了EUV掃描機、光罩及印刷的工藝集成。 臺積電表示目前他們有4臺ASML公司的NX:3400光刻機在運行，2017年第一季度還會再購買2臺。 之前有報道稱三星也購買了ASML公司的量產型EUV光刻機，目的是在2017年加速7nm工藝量產（芯易網注）。 在7nm工藝方面也進展順利，臺積電宣稱已經提前56Mb SRAM芯片。劉德音稱臺積電的7nm工藝無論在功耗、性能以及PPA密度等方面，都比對手（英特爾、三星）出色，預計2017年上流片、2018年正式量產。 |
