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作者：yzhu05 嘗試去計(jì)算IGBT的開啟過程，主要是時(shí)間和門電阻的散熱情況。 
C.GE 柵極-發(fā)射極電容 C.CE 集電極-發(fā)射極電容 C.GC 門級-集電極電容（米勒電容）
Cies = CGE + CGC 輸入電容 Cres = CGC 反向電容 Coes = CGC + CCE 輸出電容 根據(jù)充電的詳細(xì)過程，可以下圖所示的過程進(jìn)行分析
對應(yīng)的電流可簡單用下圖所示：
第1階段：柵級電流對電容CGE進(jìn)行充電，柵射電壓VGE上升到開啟閾值電壓VGE(th)。這個(gè)過程電流很大，甚至可以達(dá)到幾安培的瞬態(tài)電流。在這個(gè)階段，集電極是沒有電流的，極電壓也沒有變化，這段時(shí)間也就是死區(qū)時(shí)間，由于只對GE電容充電，相對來說這是比較容易計(jì)算的，由于我們采用電壓源供電，這段曲線確實(shí)是一階指數(shù)曲線。 第2階段：柵極電流對Cge和Cgc電容充電，IGBT的開始開啟的過程了，集電極電流開始增加，達(dá)到最大負(fù)載電流電流 IC，由于存在二極管的反向恢復(fù)電流，因此這個(gè)過程與MOS管的過程略有不同，同時(shí)柵極電壓也達(dá)到了米勒平臺(tái)電壓。 第3階段：柵極電流對Cge和 Cgc電容充電，這個(gè)時(shí)候VGE是完全不變的，值得我們注意的是Vce的變化非常快。 第4階段：柵極電流對Cge和Cgc電容充電，隨著Vce緩慢變化成穩(wěn)態(tài)電壓，米勒電容也隨著電壓的減小而增大。Vge仍舊維持在米勒平臺(tái)上。 第5階段：這個(gè)時(shí)候柵極電流繼續(xù)對Cge充電，Vge電壓開始上升，整個(gè)IGBT完全打開。 我的一個(gè)同事在做這個(gè)將整個(gè)過程等效為一階過程。 如果以這個(gè)電路作為驅(qū)動(dòng)電路的話：
驅(qū)動(dòng)的等效電路可以表示為：
利用RC的充放電曲線可得出時(shí)間和電阻的功率。 這么算的話，就等于用指數(shù)曲線，代替了整個(gè)上升過程，結(jié)果與等效的過程還是有些差距的。 不過由于C.GE，C.CE，C.GC是變化的，而且電容兩端的電壓時(shí)刻在變化，我們無法完全整理出一條思路來。 很多供應(yīng)商都是推薦使用Qg來做運(yùn)算，計(jì)算方法也可以整理出來，唯一的變化在于Qg是在一定條件下測定的，我們并不知道這種做法的容差是多少。
我覺得這種做法的最大的問題是把整個(gè)Tsw全部作為充放電的時(shí)間，對此還是略有些疑惑的。
說說我個(gè)人的看法，對這個(gè)問題，定量的去計(jì)算得到整個(gè)時(shí)間非常困難，其實(shí)就是仿真也是通過數(shù)字建模之后進(jìn)行實(shí)時(shí)計(jì)算的結(jié)果，這個(gè)模型與實(shí)際的條件進(jìn)行對比也可能有很大的差距。 因此如果有人要核算整個(gè)柵極控制時(shí)序和時(shí)間，利用電容充電的辦法大致給出一個(gè)很粗略的結(jié)果是可以的，如果要精確的，算不出來。 對于門級電阻來說，每次開關(guān)都屬于瞬態(tài)功耗，可以使用以前介紹過的電阻的瞬態(tài)功率進(jìn)行驗(yàn)算吧。 電阻抗脈沖能力 我們選電阻的大小是為了提供足夠的電流，也是為了足夠自身散熱情況。 前級的三極管，這個(gè)三極管的速度要非常快，否則如果進(jìn)入飽和的時(shí)間不夠短，在充電的時(shí)候?qū)⒖赡苡秀Q制作用，因此我對于這個(gè)電路的看法是一定要做測試。空載的和帶負(fù)載的，可能情況有很大的差異。 柵極驅(qū)動(dòng)的改進(jìn)歷程和辦法（針對米勒平臺(tái)關(guān)斷特性）
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