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550MHz時鐘、80Gbps速度的65納米工藝SRAM(賽普拉斯)

發(fā)布時間:2009-4-29 07:21    發(fā)布者:admin
關(guān)鍵詞: SRAM , 工藝 , 賽普拉斯 , 時鐘 , 速度
72-Mbit QDRII、QDRII+、DDRII 和 DDRII+ 存儲器是采用65 納米線寬的Quad Data Rate (QDR) 和Double Data Rate (DDR) SRAM 器件。新型SRAM 實(shí)現(xiàn)了目前市場上最快的550 MHz時鐘速度,在36 位I/O 寬度的QDRII+ 器件中可實(shí)現(xiàn)高達(dá) 80 Gbps 的總數(shù)據(jù)傳輸速度,而功耗僅為90 納米SRAM 的一半。這種新型存儲器非常適用于因特網(wǎng)核心與邊緣路由器、固定與模塊化以太網(wǎng)交換機(jī)、3G 基站和安全路由器等網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用,而且還能提高醫(yī)療影像和軍用信號處理系統(tǒng)的性能。上述產(chǎn)品可與 90 納米 SRAM 引腳兼容,從而幫助網(wǎng)絡(luò)客戶提高性能、增加端口密度,而且還不必改變原有的板卡布局。



相對于 90 納米的上一代產(chǎn)品,65 納米的 QDR 和 DDR SRAM 能將輸入輸出電容降低 60%。QDRII+ 和 DDRII+ 器件具有片內(nèi)終結(jié)電阻器 (ODT),消除了外部端需接電阻的要求,因而可提高信號的完整性,降低系統(tǒng)成本,節(jié)約板上空間。65 納米產(chǎn)品采用的是鎖相環(huán)路 (PLL) 而非延遲鎖相環(huán) (DLL) 技術(shù),其可使數(shù)據(jù)有效窗口擴(kuò)展 35%,以幫助客戶縮短開發(fā)時間、節(jié)約開發(fā)成本。
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