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550MHz時鐘、80Gbps速度的65納米工藝SRAM(賽普拉斯)

發布時間:2009-4-29 07:21    發布者:admin
關鍵詞: SRAM , 工藝 , 賽普拉斯 , 時鐘 , 速度
72-Mbit QDRII、QDRII+、DDRII 和 DDRII+ 存儲器是采用65 納米線寬的Quad Data Rate (QDR) 和Double Data Rate (DDR) SRAM 器件。新型SRAM 實現了目前市場上最快的550 MHz時鐘速度,在36 位I/O 寬度的QDRII+ 器件中可實現高達 80 Gbps 的總數據傳輸速度,而功耗僅為90 納米SRAM 的一半。這種新型存儲器非常適用于因特網核心與邊緣路由器、固定與模塊化以太網交換機、3G 基站和安全路由器等網絡應用,而且還能提高醫療影像和軍用信號處理系統的性能。上述產品可與 90 納米 SRAM 引腳兼容,從而幫助網絡客戶提高性能、增加端口密度,而且還不必改變原有的板卡布局。



相對于 90 納米的上一代產品,65 納米的 QDR 和 DDR SRAM 能將輸入輸出電容降低 60%。QDRII+ 和 DDRII+ 器件具有片內終結電阻器 (ODT),消除了外部端需接電阻的要求,因而可提高信號的完整性,降低系統成本,節約板上空間。65 納米產品采用的是鎖相環路 (PLL) 而非延遲鎖相環 (DLL) 技術,其可使數據有效窗口擴展 35%,以幫助客戶縮短開發時間、節約開發成本。
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