|
SD4851是內(nèi)置700伏高壓MOSFET的原邊控制、帶線損補償和峰值電流補償功能的高端無光耦開關電源控制器。它采用PFM調(diào)制技術，提供精確的恒壓/恒流（CV/CC）控制環(huán)路，具有非常高的穩(wěn)定性和平均效率，廣泛適用于手機充電器、小功率適配器、待機電源、MP3及其他便攜式設備。 SD4851 采用了原邊調(diào)整（PSR）技術，通過檢測變壓器初級線圈的電流和輔助線圈的電壓，間接控制系統(tǒng)的輸出電壓/電流，從而達到輸出恒壓或者恒流的目的。該電路采用了士蘭微電子自主知識產(chǎn)權(quán)的線損補償專利技術，可以根據(jù)電纜的電阻大小調(diào)整補償電阻，在不同負載電流的條件下，自動調(diào)節(jié)補償電壓，以保證不同負載電流的條件下的輸出端電壓相同；峰值電流補償功能用來保證在不同的交流電壓輸入條件下，輸出恒流值相同。 目前的SD4851電路可提供3.5W輸出功率（5V /700mA），平均效率大于68%（采用1.8米AWG28線纜），待機功耗小于100mW，輸出電壓的負載調(diào)整率優(yōu)于±4.0%，輸出電壓的輸入線電壓調(diào)整率優(yōu)于±0.6%，整機對空氣的ESD能力大于±15KeV。通過調(diào)整限流電阻，SD4851可以提供5W左右的輸出功率。在選擇更低導通電阻的高壓MOSFET條件下，電路的輸出功率范圍可達到6W~10W。 SD4851基于士蘭微電子自行研發(fā)的0.8微米BiCMOS/BCD工藝制造，采用了內(nèi)置高壓MOSFET的DIP-8A封裝形式，具有集成度高、占板面積小、便于整機調(diào)試等突出的特點。 此外，采用SD4851設計整機系統(tǒng)，可以省去光耦、次級反饋控制、環(huán)路補償，僅需極少的外圍元器件即可構(gòu)成完整的電源系統(tǒng)，大幅節(jié)省了系統(tǒng)耗電并縮小了電路板體積，有利于用戶精簡設計布局，降低開發(fā)和制造成本。 小型充電設備今后的發(fā)展趨勢是更低的低待機功耗和更高的能量轉(zhuǎn)換效率，士蘭微電子將持續(xù)在該領域投入研發(fā)力量，推出新品。預計2009年下半年將推出內(nèi)置高壓啟動模塊、滿足能源之星2.0版本、LEVEL 5規(guī)格的電路，待機功耗小于30mW，平均效率達到70%。 |
