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帶有48字節RAM的日歷時鐘芯片的設計

發布時間:2010-8-31 10:21    發布者:techshare
關鍵詞: RAM , 日歷 , 時鐘芯片
日歷時鐘芯片應用非常廣泛,例如在IC卡電子門鎖中,可利用日歷時鐘芯片的定時時鐘計數功能,在IC卡內輸入客人住房時的時間段,只有當時間段所包含的時間與日歷時鐘所記錄的時間一致時,方可開門,否則IC卡為無效卡。  

利用Synopsys公司提供的集成電路設計工具VCS和DC,設計了一個帶有48字節RAM的日歷時鐘芯片,包括該芯片RTL級代碼的編寫、功能仿真和綜合,達到了預期的目標。該芯片的具體性能指標是:工作電源電壓為2.5~6V;日歷時鐘工作電源和RAM數據保持電源電壓為1~6V;工作電流最大為50μA;四年日歷時鐘,24或12小時格式,32.768kHz時基;48字節RAM,自動字節地址增量;具有可編程的鬧鐘、定時和中斷功能。  

1 ASIC設計概述  

隨著深亞微米技術的發展,數字集成電路的規模已經發展到上百萬門。未來的二十多年里,一塊ASIC芯片中將會達到上千萬門的規模。這樣的電路規模,仿真和綜合優化在開發過程中發函來發函重要。較復雜的數字電子系統設計往往采用自頂向下(Top-Down)的方法,設計流程可以分為以下幾個主要的部分:系統級設計、設計實現、設計驗證和流片封裝。深亞微米工藝下的ASIC設計流程如圖1所示。


  
本文主要介紹芯片的系統級設計和所有邏輯設計,生成可供物理設計的經過驗證的門級網表文件。  

2 芯片的系統級設計  

系統級設計是芯片設計的第一步,也是關鍵的一步。首先根據設計要求提出設計構想,然后再對這一構想進行細化。本設計把整個系統分成幾大模塊,即產生32.768kHz的振蕩器(這個模塊不用設計)、256分頻器、48字節RAM和地址寄存器。設計構想如圖2所示。  


  
RAM中的00~0FH單元是一些帶有特殊功能的寄存器,00H單元是控制芯片所有功能和操作的狀態寄存器,通過設置狀態寄存器,可以選擇32.768kHz時鐘模式或計數模式。在日歷時鐘模式中,1/128秒、秒、分、小時、年/日期、星期/月都是以BCD碼分別存放在01H~06H單元的寄存器中;而在事件計數模式中,則對輸入到振蕩器輸入端(OSCI)的脈沖計數,事件計數器為6位BCD碼。07H單元是能存儲最大數為99天的定時器。08H是控制定鬧、定時和中斷輸出功能的鬧鐘控制寄存器。09H~0FH單元用于儲存用戶信息。  

對于這樣的設計,傳統的方法是使用中小規模集成電路來構成,本文則用Verilog HDL描述來實現。整個芯片采用模塊化設計方式和Top-Down設計方法,根據寄存器的不同劃分成模塊,然后用測試程序TestBench對頂層模塊進行仿真;仿真通過后利用廠家提供的工藝庫及時序約束腳本文件對其進行綜合;綜合通過后生成門級網表文件,然后再用廠家提供的仿真庫對門級網表進行綜合后仿真。本文設計用到的工藝庫是臺灣旺宏公司(Macronix,MXIC)提供的基本單元庫(slow.db和fast.db)、基本符號單元庫(slow.sdb)和用于綜合后仿真的庫文件仿真庫(models.v)。

這是一個同步時序電路的設計,所以保證正確的時序是設計的關鍵,本設計中有四個時鐘:  

(1)系統時鐘clksys,是外部微控制器提供的時鐘信號,用作寄存器讀、寫時鐘信號;  

(2)測試時鐘clktest,是整個芯片的測試時鐘信號,一般限于廠家使用。  

(3)時基時鐘clk32,定時方式時,外部石英晶振提供的32.768kHz振蕩信號經過256分頻后得到時鐘信號(evt128),作為RAM前16字節特殊寄存器的同步時鐘信號。
 
(4)計數時鐘clkevt,計數模式時的外部計數脈沖信號。  

圖3是日歷時鐘頂層模塊端口示意圖,讀選通信號w、寫選通信號r、片選信號csn和RAM地址控制信號addr[5:0]是由外部微處理器提供的。當寫信號w為真時,將輸入數據datin[7:0]寫入存儲器被選中的地址;當讀信號r為真時,將從存儲器被選中的地址中輸出數據datu[7:0]。當滿足下面兩個條件之一時,中斷請求信號intz輸出低電平:①00H單元中的第0位為1,并且08H單元的第3位為1。  


  
由于篇幅有限,在這里只寫出頂層模塊rtc的部分設計程序,具體如下:  

   
在頂層模塊中調用了根據不同功能而編寫的20個子模塊,如ctl_status.v、sec.v和ram.v等。其中RAM存儲器的1F~2FH單元是模擬電路,要用全定制的方法生成。而在數字集成電路設計中,仿真時經常要用到存儲器的行為模型,這里給出的行為模型ram.v用于仿真。

3 利用EDA工具進行系統仿真    

設計人員利用先進的EDA工具作為測試平臺,以驗證數字電子系統設計模塊的邏輯功能和時序功能。雖然不同的EDA工具提供的平臺不同,但都可以對被測試對象加載激勵信號,并通過波形輸出、文件記錄輸出等方式觀察和比較仿真結果。加載激勵信號需要設計人員設計測試程序(TestBench),對于較大規模的系統設計,測試程序的設計有時比本身的程序設計還要復雜。  

在本文的設計中,首先對每一個子模塊設計一個測試程序,單獨進行邏輯仿真,然后再設計一個測試程序對整個設計進行邏輯仿真。由于篇幅有限,在這里僅寫出sec.v的部分測試程序,具體如下:

  
利用Synopsys公司的仿真工具VCS進行仿真,無論在功能上還是在時序上,都完全符合要求。  

4 利用EDA工具進行綜合和優化  

綜合是利用芯片制造商提供的基于電路單元(綜合庫)實現用硬件描述語言描述的電路功能。現在許多優秀的綜合工具都能借助現有的綜合庫將Verilog HDL源代碼進行綜合,轉化成門級電路圖,并且可以根據設計者施加的約束條件對電路進行優化,產生面積或者速度達到最優的結構,并生成相應的邏輯網表以供后端設計使用。  


  
綜合時要進行延時計算和設計規則檢查,需要設置的相關內容主要包括:操作環境、導線負載模型、設計約束、設計規則約束。通常情況,設計者要先編輯一個包括這些設置的腳本文件(例如本文編輯的腳本文件rtc.tcl),啟動邏輯綜合工具DC后就可,執行文件中的各條指令了。綜合的過程如圖4所示。下面利用日歷時鐘實例簡單介紹這一過程。  

(1)建立設計環境    

臺灣旺宏公司的0.35μm CMOS標準單元綜合庫slow.db和fast.db包含了與非、或非、非門等基本邏輯單元,還有選擇器、與或非、或與非等較復雜的組合邏輯以及DFF(D觸發器)等時序邏輯單元。利用該庫可以這樣來建立環境:  

set target_library {slow.db fast.db}  

set link_library {*slow.db fast.db}  

set search_path "/home/tools/synopsys/library"   

(2)讀入HDL描述  

如果讀入多個模塊,首先應該讀入的是頂層模塊。要將當前的設計設置為頂層模塊,可以這樣來設置:  

read_verilog "home/design/rtl/rtc.v"  

read_verilog "home/design/rtl/see.v"  

current_design rtc  

(3)定義環境變量  

環境變量輸出網表和輸出報告等路徑設置可以這樣來定義:  

netlist_path = "home/design/netlist"  

report_path = "home/design/report"  

(4)定義性能約束、時序約束和面積約束  

性能約束主要包括創建時鐘、輸入延遲和輸出延遲等;綜合的目標是得到最小的面積。可以這樣來設置:   

  

(5)編譯    

用compile命令進行編譯即可。

(6)寫門級網表  

綜合后的門級網表可以用edif文件形式保存,也可以用.V文件形式存放,采用如下命令:  

write-format verilog-hierarchy-output $netlist_path/rtc.vg  

此外,還需要保存延時信息,以便綜合后仿真,延時信息一般放在.sdf文件中,采用如下命令:  

write_sdf ﹩netlist_path/rtc.sdf-version 1.4  

(7)給出報告    

可以報告綜合出的面積、時序信息、違反約束路徑以及單元的個數等,并存放到定義的目錄文件中,下面舉幾個例子:  

report_area >$report_path/area.rpt  

report_timing >$report_path/timing.rpt  

report_constraint-verbose-all_violators $report_path/constrain.rpt  

利用Synopsys公司的邏輯綜合工具DC進行綜合和優化非常成功。  

本文設計主要描述帶有48字節RAM的日歷時鐘芯片的邏輯設計過程,并對其成功地進行了代碼編寫、仿真和綜合,版圖設計等。當然,本邏輯設計不是一蹴而就的。在此過程中,對各種異常情況都需要認真分析和反復調試。
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