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陶瓷墊片在大功率電源產(chǎn)品中的應(yīng)用

發(fā)布時間:2010-10-9 10:37    發(fā)布者:eetech
關(guān)鍵詞: 電源產(chǎn)品 , 墊片 , 陶瓷
1、引言

陶瓷墊片是一種高導(dǎo)熱性能的材料,主要由氧化鋁組成(氧化鋁含量高達(dá)96%以上),外觀呈純白色,質(zhì)地堅硬,主要用于功率器件與散熱器之間的傳熱和電氣隔離。它與功率器件(如功率MOS管、功率三極管等)、鋁散熱器、PCB板緊密結(jié)合后,密封性能極佳,能達(dá)到防塵、防水、導(dǎo)熱、絕緣的理想效果,并能適應(yīng)高溫、高壓、多塵的惡劣工作環(huán)境,提高設(shè)備運行的安全性和穩(wěn)定性。文中分析了陶瓷墊片的性能特點,并對它在電源產(chǎn)品應(yīng)用中的安規(guī)、工藝、結(jié)構(gòu)等設(shè)計進(jìn)行了探討,最后給出了它在電子負(fù)載(模塊電源高溫老化專用負(fù)載)上的應(yīng)用。

2、陶瓷墊片的性能特點

陶瓷墊片有以下特點:

⑴陶瓷墊片導(dǎo)熱系數(shù)(20℃)高達(dá)20 W/(m-K)"30W/(m-K),遠(yuǎn)比普通導(dǎo)熱墊片的導(dǎo)熱系數(shù)高,因此在功率器件散熱要求非常苛刻的條件下得到了廣泛的應(yīng)用。而目前導(dǎo)熱墊片的導(dǎo)熱系數(shù)大都在2.0 W/(m-K)以下,導(dǎo)熱系數(shù)較高的貝格斯Sil-Pad2000系列也只有3.5W/(m-K);

⑵耐高溫和高壓。陶瓷墊片的擊穿強(qiáng)度在10kV"12kV,允許使用的最高溫度達(dá)1600℃,能適應(yīng)高溫、高壓、高磨損、強(qiáng)腐蝕的惡劣工作環(huán)境,滿足電源產(chǎn)品在各種場合的應(yīng)用要求;

⑶使用壽命較長。可以減少設(shè)備的維修次數(shù),提高設(shè)備運行的安全性和穩(wěn)定性;

⑷符合歐盟ROHS環(huán)保標(biāo)準(zhǔn)。

3、散熱路徑

普通導(dǎo)熱墊片是由軟介質(zhì)的材料組成,可以填充功率器件和散熱器表面之間的細(xì)小間隙,減小其接觸熱阻。而陶瓷墊片由質(zhì)地堅硬的氧化鋁組成,表面有一定的粗糙度,如果直接裝配,功率器件與陶瓷墊片之間、散熱器與陶瓷墊片之間會存在很多間隙,嚴(yán)重影響散熱效率,使散熱器的性能大大打折扣,甚至無法發(fā)揮作用。因此,在采用陶瓷墊片做導(dǎo)熱材料時,還需要在其兩個表面涂加導(dǎo)熱硅脂,用于填充陶瓷墊片與散熱器、陶瓷墊片與功率器件之間的細(xì)小間隙,減小它們之間的接觸熱阻。

加裝陶瓷墊片后,功率器件到環(huán)境溫度的熱阻主要由導(dǎo)熱硅脂熱阻、陶瓷墊片熱阻、導(dǎo)熱硅脂熱阻、散熱器熱阻組成。其散熱路徑分為兩部分:

⑴功率器件(熱源)→導(dǎo)熱硅脂→陶瓷墊片→導(dǎo)熱硅脂→散熱器(熱傳遞以傳導(dǎo)為主);

⑵散熱器→環(huán)境空氣(熱傳遞以對流為主)。

圖1給出功率器件的熱阻模型及散熱路徑。影響功率器件的熱阻因素主要有陶瓷墊片的表面平整度、陶瓷墊片和導(dǎo)熱硅脂的厚度、散熱器的厚度及形狀、緊固件的壓力等,而這些因素又與實際應(yīng)用條件有關(guān),所以功率器件到散熱器之間的熱阻也將取決于實際裝配條件。



圖1 加裝陶瓷墊片后的功率器件熱阻模型

4、安裝工藝及安規(guī)、散熱設(shè)計

4.1、散熱器選型的注意事項

陶瓷墊片與導(dǎo)熱墊片比較有以下缺陷(散熱器選型時需注意的地方):陶瓷墊片的材質(zhì)堅硬,但較脆,抗彎曲變形能力較差,在散熱器表面平整度非常差的情況下,安裝時易碎裂。所以在使用陶瓷墊片做導(dǎo)熱元件時,一定要求廠家控制散熱器的表面平整度,使該指標(biāo)控制在允許的范圍之內(nèi)。

4.2、工藝裝配方式(以功率MOS管為例進(jìn)行分析)

陶瓷墊片和功率MOS管、散熱器在安裝過程中,涉及到工藝和安規(guī)問題,下面將一一介紹。

4.2.1鏍釘固定方式

安裝功率MOS管后,因鏍釘與功率MOS管金屬部分的爬電距離受限,所以鏍釘固定方式只能用于功能絕緣的場合(散熱器不接外殼大地),不能用于加強(qiáng)絕緣的場合(外殼作散熱器,安規(guī)距離要求較大),否則安規(guī)不能滿足設(shè)計要求。

⑴采用鏍釘固定TO-247封裝的功率MOS管

TO-247封裝的功率MOS管只有背面散熱部分才有金屬,其它部分都為塑料,所以在固定該功率MOS管時,不要做特殊處理,將陶瓷墊片(兩面需涂導(dǎo)熱硅脂)夾在功率MOS管和散熱器之間,直接用鏍釘固定即可滿足功能絕緣的要求,如圖2(a)、(b)所示,功率MOS管金屬部分與鏍釘?shù)呐离娋嚯x為1.3 mm "1.5mm(由廠商的功率MOS管形狀決定)。



(a) (b)

圖2 (a)TO-247封裝的功率MOS管背面圖; (b) 鏍釘固定TO-247封裝的功率MOS管。
  
⑵采用鏍釘固定TO-220封裝的功率MOS管

在固定TO-220封裝的功率MOS管時,需在鏍釘上增加一個塑料墊(如圖3所示),防止功率MOS管金屬部分通過鏍釘與散熱器接觸,造成短路。增加塑料墊后,功率MOS管金屬部分與鏍釘?shù)呐离娋嚯x≥1mm。陶瓷墊片同樣需要兩面涂導(dǎo)熱硅脂,減小其接觸熱阻。



圖3 鏍釘固定TO-220封裝功率MOS管

4.2.2壓條固定方式

采用壓條固定功率MOS管時,主要用于對安規(guī)要求較高的場合。它有兩種固定方式:橫壓和豎壓。圖4(a)給出采用豎壓方式固定功率MOS管(TO-220或TO-247封裝)的示意圖,圖4(b)給出采用橫壓方式固定功率MOS管(TO-220或TO-247封裝)的示意圖。



(a)  (b)  
圖4 (a)采用豎壓方式固定功率MOS管示意圖; (b) 采用橫壓方式固定功率MOS管示意圖。

工藝設(shè)計要注意以下3點:①采用壓條固定功率MOS管時,要選擇不開鏍釘孔的陶瓷墊片,否則會大大減小功率MOS管到散熱器的爬電距離;②陶瓷墊片的尺寸必須滿足功率MOS管到散熱器的爬電距離要求;③由于壓條通過鏍釘直接與散熱器連接,所以壓條必須加裝絕緣套管,增加功率MOS管到散熱器的爬電距離。

4.3、熱設(shè)計和結(jié)構(gòu)設(shè)計注意事項

常用的陶瓷墊片類型有單片、雙片等。雙陶瓷墊片主要用于兩個功率MOS 管并聯(lián)安裝使用。圖5給出了雙陶瓷墊片在PCB 和結(jié)構(gòu)設(shè)計上的各個參數(shù)及其尺寸大小(以TO-247封裝功率MOS管為例)。

⑴雙陶瓷墊片兩個開孔的距離是固定的,因此在PCB 設(shè)計時要保持兩個MOS 管的中心距離為19mm;結(jié)構(gòu)設(shè)計時,散熱器上兩個MOS 管的開孔距離為19mm。  

⑵如果兩個功率MOS 管功耗較大,且散熱器安裝在PCB 底部,MOS 管的邊緣距離散熱器的邊緣不可太近,具體要根據(jù)熱仿真分析的結(jié)果來定該尺寸的大小,否則散熱效果會大大打折扣。



圖5 雙陶瓷墊片在PCB 和結(jié)構(gòu)設(shè)計上的各個參數(shù)及其尺寸大小

5、陶瓷墊片在電子負(fù)載中的應(yīng)用

某電子負(fù)載(模塊電源高溫老化專用負(fù)載)共有16路,每路工作電流為10A(每路用一個功率MOS管做電子負(fù)載),每個功率MOS管的功耗高達(dá)32W,必須采取有效的散熱措施來確保功率MOS管安全可靠地工作。因整個系統(tǒng)的功耗非常大,所以采用了4個150mmx120mm大型鋁散熱器(廠家無法加工一個長型鋁散熱器,所以用4個鋁散熱器替代),散熱器位于PCB底部。功率MOS管選用IRFP150P(TO-247封裝),將其臥倒安裝在底殼散熱器上,其導(dǎo)熱材料選取了高導(dǎo)熱性能的陶瓷墊片(普通導(dǎo)熱墊片無法滿足設(shè)計要求)。因產(chǎn)品無需做加強(qiáng)絕緣處理(內(nèi)部電路對外殼電壓差為10V"65V),故采取了鏍釘方式固定功率MOS管,滿足功能絕緣即可。

表1給出了該電子負(fù)載在常溫25℃、風(fēng)冷條件下的工作溫度。從表1中的數(shù)據(jù)得出:功率MOS管的工作溫度在45.3℃"66.3℃之間。該電子負(fù)載要求在高溫65℃的條件下工作,則要再加上40℃的溫升,可得出功率MOS管的工作溫度在85.3℃"100.3℃之間,所有功率MOS管(其最高工作溫度為160℃)的溫升都在允許范圍內(nèi)。說明陶瓷墊片的導(dǎo)熱性能非常優(yōu)異,能滿足大功率電源產(chǎn)品的散熱要求。  

表1 電子負(fù)載在常溫25℃、風(fēng)冷條件下的工作溫度



6、結(jié)語

采用陶瓷墊片作功率器件和散熱器之間的導(dǎo)熱材料,具有導(dǎo)熱效率高、耐高溫/耐高壓、受熱均勻、散熱快、結(jié)構(gòu)簡單緊湊,在大功率電源產(chǎn)品中具有廣泛的應(yīng)用前景。本文分析了陶瓷墊片的性能特點,并對它在電源產(chǎn)品應(yīng)用中的安規(guī)、工藝、結(jié)構(gòu)等設(shè)計進(jìn)行了探討,最后給出了在電子負(fù)載(模塊電源高溫老化專用負(fù)載)上的應(yīng)用結(jié)果。
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