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來源：快科技 在舊金山的閃存峰會(huì)上，三星宣布推出新一代V-NAND單晶粒，容量高達(dá)1Tb，用于消費(fèi)級產(chǎn)品。 三星表示，今后的2TB 3D閃存SSD產(chǎn)品將使用上這一新品，即一整顆芯片封裝16Tb Die，繼續(xù)減小體積。 如此精巧之后，連傳統(tǒng)M.2 2242（NGFF）的電路板型都用不到了，三星據(jù)此提出了Next Generation Small Form Factor (NGSFF) 標(biāo)準(zhǔn)。 其中單面16TB的樣品三圍是30.5mm x 110mm x 4.38mm，當(dāng)然這是極大值的情況。 按照三星的演示，典型的服務(wù)器可以塞入36張單面16TB NGSFF SSD，總存儲(chǔ)容量達(dá)到576TB。 當(dāng)然，相較技術(shù)、容量本身的進(jìn)步，用戶可能關(guān)注閃存第一廠何時(shí)能夠釋放更大的產(chǎn)能把SSD的價(jià)格降回去吧。 |
