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在基于DSP的系統(tǒng)設(shè)計中，為了保證掉電時程序不丟失，總是將程序保存在非易失性存儲器中，以便系統(tǒng)在上電復(fù)位時可將其引導(dǎo)到DSP內(nèi)部的RAM中執(zhí)行。以TI公司的TMS320C6713浮點DSP和AMD公司的AM29LV040Flash存儲器為例，通過JTAG加載來設(shè)計一個完整的自舉引導(dǎo)方案。著重描述了引導(dǎo)引腳以及相關(guān)寄存器的設(shè)置，分析了采用EDMA傳輸方式將代碼從Flash復(fù)制到DSP的過程，并對引導(dǎo)程序給出基于匯編語言的代碼實現(xiàn)。工程實踐證明，該設(shè)計方案是可行、有效的。 在許多基于DSP的系統(tǒng)設(shè)計中，程序代碼總是保存在ROM、Flash或其他非易失存儲器中，以保證掉電時代碼仍存在，因此必須要解決引導(dǎo)裝載的問題。自舉引導(dǎo)(Bootload)是指系統(tǒng)上電時，DSP將一段存儲在外部非易失性存儲器的代碼搬移到內(nèi)部的高速存儲器單元中執(zhí)行(如片內(nèi)RAM)。本文以TI 公司的TMS320C6713(以下簡稱為C6713)浮點DSP和AMD公司的AM29LV040Flash存儲器為例，通過JTAG口加載來設(shè)計一個完整的引導(dǎo)裝載方案。 TMS320C6713的引導(dǎo)配置 外部信號BOOTMODE[4：3]決定了C6713的引導(dǎo)配置，在RESET信號的上升沿BOOTMODE[4：3]信號被獲取。C6713DSP只有2種引導(dǎo)方式： (1)ROM/Flash引導(dǎo)。外部存儲器的一部分通過EDMA控制器拷貝到DSP內(nèi)部地址0處。盡管引導(dǎo)程序在器件從外部復(fù)位釋放后才開始執(zhí)行，但在 CPU被保持在內(nèi)部復(fù)位時，這個拷貝就進(jìn)行了。Flash寬度也通過BOOTMODE[4：3]選擇。在Flash寬度小于32bit的情況下，DSP通過EMIF讀取時，可以自動將相鄰的8bit字節(jié)或16bit半字打包形成32bit的指令字，并且這些數(shù)值在外部存儲器中可以通過設(shè)定HD8來確定 endian存儲模式。 (2)主機引導(dǎo)。核心CPU停留在復(fù)位狀態(tài)，器件其余部分保持正常狀態(tài)。外部主機通過HPI或擴(kuò)展總線初始化CPU的存儲空間。在必要的初始化完成之后，主機在HPI控制寄存器的DSPINT位寫1，這個寫操作引起DSPINT信號的跳變，從而導(dǎo)致引導(dǎo)配置邏輯使CPU脫離復(fù)位狀態(tài)，然后CPU從地址0處開始運行。 Flash引導(dǎo)模式的實現(xiàn) 硬件設(shè)計 C6713引導(dǎo)引腳說明如表1所列。 設(shè)計時將DSP主機口引腳HD[4：3]中的HD4通過下拉電阻接地，HD3通過上拉電阻接3.3V電源，即HD[4：3]=01B。C6713的 EMIF含有4個CE空間寄存器，由于Flash加載程序是從CE1空間搬入的，因此DSP的CE1與Flash(AM29LV040)的片選相連，這種連接將Flash的內(nèi)部地址映射到DSP的0x90000000處，從而完成了基本的硬件設(shè)計。DSP與Flash接口的硬件連接如圖1所示。 圖1 DSP與Flash的引腳連接 引導(dǎo)程序的設(shè)計 Flash存儲器的擦除 在對AM29LV040Flash進(jìn)行讀寫操作之前，應(yīng)對其進(jìn)行擦除，擦除操作需要6個總線周期： (1)向555H地址的存儲單元寫入數(shù)據(jù)AAH; (2)向2AAH地址的存儲單元寫入數(shù)據(jù)55H; (3)向555H地址的存儲單元寫入數(shù)據(jù)80H; (4)向555H地址的存儲單元寫入數(shù)據(jù)AAH; (5)向2AAH地址的存儲單元寫入數(shù)據(jù)55H; (6)向555H地址的存儲單元寫入數(shù)據(jù)10H; 完成上述操作后，F(xiàn)lash存儲器完全擦除。 在CCS環(huán)境下，用C語言編寫上述操作如下： voidFlash_Erase() { *(char*)FLASH_ADR1=0xAA; *(char*)FLASH_ADR2=0x55; *(char*)FLASH_ADR1=0x80; *(char*)FLASH_ADR1=0xAA; *(char*)FLASH_ADR2=0x55; *(char*)FLASH_ADR1=0x10; } 根據(jù)前面的設(shè)計，F(xiàn)lash的內(nèi)部地址已經(jīng)映射到C6713的CE1空間，其開始地址為0x90000000。因此FLASH_ADR1，F(xiàn)LASH_ADR2的定義如下： #define FLASH_ADR1 0x90000555 #define FLASH_ADR2 0x900002AA 匯編源代碼文件 對于C6713而言，DSP上電復(fù)位后，EDMA自動從CE1空間拷貝1KB數(shù)據(jù)(引導(dǎo)代碼應(yīng)定位與此)到地址0處，然后從0地址處開始執(zhí)行引導(dǎo)代碼指令。本引導(dǎo)代碼的主要功能是將用戶程序段從Flash復(fù)制到DSP內(nèi)部RAM中，然后再跳轉(zhuǎn)到程序的入口處開始執(zhí)行主程序。在引導(dǎo)程序內(nèi)復(fù)制程序段要使用 EDMA，以快速、靈活地實現(xiàn)DSP存儲空間內(nèi)數(shù)據(jù)的搬移。數(shù)據(jù)搬移的源/目的可以是片內(nèi)存儲器、片內(nèi)外設(shè)或外部器件。而此時需要對EDMA的源、目的地址、搬移長度以及基本的傳輸方式進(jìn)行相關(guān)的設(shè)置，如表2所示，然后運用匯編語言編程加入到引導(dǎo)程序即可。 核心引導(dǎo)程序如下： .sect“.BootCode” ;將引導(dǎo)代碼分配到BootCode段中 .global myBootCode .ref_c_int00 ;C程序的入口地址 MVKL .S1EDMA0_OPT ,A5 MVKL . S10x50010001 ,B4 ;低16bit寫入寄存器 MVKH .S1EDMA0_OPT ,A5 MVKH .S10x50010001 ,B4 ;高16bit寫入寄存器 STW .D1B4,*A5 ;裝載EDMA的OPT參數(shù) MVKL .S1EDMA0_SRA ,A5 MVKL .S10x90001000 ,B4 ;低16bit寫入寄存器 MVKH .S1EDMA0_SRA ,A5 MVKH .S10x90001000 ,B4 ;高16bit寫入寄存器 STW.D1B4，*A5 ;裝載EDMA的SRC參數(shù) .... .... 接下來啟動EDMA復(fù)制主程序段：CPU可以通過寫事件置位寄存器(ESR)啟動一個EDMA通道。 ESR中某一位寫1時，將強行觸發(fā)對應(yīng)的事件。程序如下： MVKL .S10x00000001, B4 MVKL .S1EDMA_ESR, A5 ;低16bit寫入寄存器 MVKH .S1EDMA_ESR, A5 MVKH .S10x00000001, B4 ;高16bit寫入寄存器 STW .D1 B4, *A5 ;將ESR第一位置1 NOP5 傳輸 結(jié)束后，跳轉(zhuǎn)到C程序的入口地址 _c_int00處，開始執(zhí)行主程序： MVKL .S2_c_int00, B0 MVKH .S2_c_int00, B0 B.S2B0 NOP5 鏈接命令文件 鏈接命令文件是DSP開發(fā)過程中生成可執(zhí)行文件(.out)必不可少的一個環(huán)節(jié)。它對段的功能有2 個，一是將由匯編器產(chǎn)生的COFF格式的OBJ文件作為輸入塊，當(dāng)有多個文件進(jìn)行鏈接時，將相應(yīng)的段結(jié)合在一起生成可執(zhí)行輸出模塊;二是重新定位，將輸出的段分配到存儲器中的指定地址。 編寫命令文件時，有時希望將代碼裝入存儲器的一個地方，而在另一個地方運行。例如：一些關(guān)鍵的執(zhí)行代碼必須裝在系統(tǒng)的ROM中，但希望在較快的RAM中運行。鏈接器提供了一個處理該問題的簡單方法。利用SECTIONS偽指令選項可讓鏈接器定位2次。第一次使用裝載關(guān)鍵字load設(shè)置裝入地址，再使用運行關(guān)鍵字run設(shè)置它的運行地址。裝載地址確定段的原始數(shù)據(jù)或代碼裝入的地方，而任何對段的引用則參考它的運行地址。在應(yīng)用中必須將該段從裝載地址復(fù)制到運行地址，本引導(dǎo)程序便使用EDMA方式完成這一復(fù)制過程。鏈接命令文件(boot.cmd)如下： MEMORY { VEC:ORG=0x00000000,LEN=0x00001000 PMEM:ORG=0x00001000,LEN=0x00004000 CEVEC:ORG=0x90000000,LEN=0x00001000 CEPMEM:ORG=0x90001000,LEN=0x00004000 } 以上設(shè)置是將整個存儲器分成具有不同名稱的存儲區(qū)域。VEC，PMEM代表內(nèi)部RAM的兩塊存儲空間，而CEVEC，CEPMEM代表Flash內(nèi)的兩塊存儲空間。對目標(biāo)文件中各段的加載地址和運行地址在SECTIONS段實現(xiàn)。 SECTIONS { .BootCode:load=CEVEC;用戶的引導(dǎo)代碼段定位在Flash的最開始。 .text:load=CEPMEM，run=PMEM;用戶程序段裝載于 Flash空間,而運行在C6713內(nèi)部RAM中。 } 通過JTAG口的Flash在線燒寫 用匯編語言編寫一個搬移程序，內(nèi)容僅是Flash的擦除過程，以及對EDMA的多次操作構(gòu)成的由片內(nèi)RAM到片外Flash的寫入過程。把該搬移程序直接嵌入主程序中，這樣程序代碼長度很短，不會占用過多的主程序空間。在主機引導(dǎo)方式下，通過JTAG口load后，手工更改PC值使其指向這段代碼，控制其運行結(jié)束，完成自舉程序的在線燒寫。而在此之后，這段短小的搬移程序不會被主程序中任何一段代碼所調(diào)用。 結(jié)束語 工程實際應(yīng)用表明該方法是切實可行的，與以往Flash引導(dǎo)程序編寫方法相比避免了目標(biāo)代碼的格式轉(zhuǎn)換，利用EDMA直接搬移，無需編程器，F(xiàn)lash也不需頻繁拆卸，利于工程上的快速開發(fā)。 |
