GaN Systems IMS評估平臺在貿澤開售，助力高效電源系統開發

發布時間：2017-12-15 11:39 發布者：eechina

關鍵詞： GaN , GS66516B , E-HEMT

貿澤電子 (Mouser Electronics) 即日起開始供貨GaN Systems的GSP65RxxHB-EVB絕緣金屬基板 (IMS) 評估平臺。IMS評估平臺價格親民，對于汽車、消費電子、工業和服務器或數據中心應用中的功率系統而言，能夠改善熱傳導性能、提高功率密度并降低系統成本。

貿澤電子備貨的這款GaN Systems GSP65RxxHB-EVB IMS評估平臺包含一個GSP65MB-EVB 主板和兩個IMS 評估模塊。每個IMS評估模塊均搭載了GS66516B增強模式高電子遷移率晶體管 (E-HEMT)——底部散熱的高功率GaN系統，其工作電壓為650 V ，能配置為半橋模式，并具有13m Ω 2-4kw和25m Ω 4-7kW兩種版本。將主板與IMS評估模塊搭配使用時可支持10種不同配置，如果再增加一個主板，則可以支持12種配置。設計人員還可以將IMS評估模塊作為高功率氮化鎵 (GaN) 智能功率模塊(IPM) 與其現有電路板搭配使用，進行系統內原型開發。

此系列評估模塊阻抗低，并具有優化的驅動板，能夠同時降低功耗和柵極驅動回路數。典型應用包括板載充電器、用于電動汽車與混合動力汽車的DC/DC轉換器和三相逆變器、工業光伏逆變器和電機驅動、以及用于服務器/數據中心和住宅儲能系統的開關電源。

欲知更多有關GaN Systems IMS評估平臺的信息，敬請訪問www.mouser.com/gan-ims-3rd-gen-eval-boards。

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