CISSOID為Honeywell將停產高溫微電子產品的客戶提供相應替代品
高溫與長壽命半導體解決方案領先供應商CISSOID今日宣布：該公司已準備好幫助客戶免受Honeywell公司宣布限期最后接單后，即將停產其高溫微電子產品所帶來的影響，同時發布了一份CISSOID等效器件部品的型號互查表，所有的產品額定溫度范圍同樣都為-55°C到225°C，同時還可以提供裸芯片（bare die）:
| Honeywell的產品 | CISSOID等效產品 | | 器件型號 | 描述 | 器件編號 | 描述 | | HTADC12 | 12位A/D轉換器 | CHT-ADC10-CSOIC28-T | 超低功耗10位A/D轉換器 | | HTOP01 | 雙精度運算放大器 | CHT-GEM6489A-TDFP16-T | 雙精度運算放大器 | | HT1104 | 四聯運算放大器 | CHT-OPA-CSOIC16-T | 四聯運算放大器 | | HTPLREG05TC | 0.5A/5V正線性調節器 | CHT-LDO-050-TO254-T | 1A/5V低壓降調壓器 | | HTPLREG10TC | 0.5A/10V正線性調節器 | CHT-LDO-100-TO254-T | 1A/10V低壓降調壓器 | | HTPLREG12TC | 0.5A/12V正線性調節器 | CHT-LDO-120-TO254-T | 1A/12V低壓降調壓器 | | HTPLREG15TC | 0.5A/15V正線性調節器 | CHT-LDO-150-TO254-T | 1A/15V低壓降調壓器 | | HTCCG | 晶體時鐘發生器 | CHT-PUL9560A-TDFP16-T | 萬用晶體時鐘發生器 | | HTNFET | 1A/60V N-溝道場效應管（高功率封裝） | CHT-NMOS8005-TO254-T | 5A/80V功率NMOS管 | | HTNFET | 1A/60V N-溝道場效應管（DIL14封裝） | CHT-PLA4091A-TDFP16-T | 80V/1A緊湊型NMOS管 |
也可以通過開發高溫專用集成電路（ASIC）或者專門的電路板的方式來實現器件的替代，這得益于CISSOID自有的強大硅知識產權（IP）及產品組合，其中包括電壓參考源、調節器、放大器、比較器、計時器、脈寬調制（PWM）控制器、DC-DC轉換器、柵極驅動器和碳化硅（SiC）功率模組。
“很高興能夠去支持Honeywell的客戶采用CISSOID解決方案來實現其高溫設計的遷移，從而消除了因最終訂單后停產產品所導致的各種麻煩，”CISSOID首席執行官Dave Hutton表示：“客戶還可以從中獲得更多好處，包括我們的高可靠性元器件，以及我們過去幾十年長期設計打造高溫模組和系統所積累的豐富專業經驗。”
如希望了解更多信息，請訪問http://www.cissoid.com/high-temperature-electronics/
|
