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大聯(lián)大旗下品佳代理的英飛凌（Infineon）推出革命性的1200V SiC MOSFET，使產(chǎn)品設(shè)計(jì)可以在功率密度和性能上達(dá)到前所未有的水平。它們將有助于電源轉(zhuǎn)換方案的開(kāi)發(fā)人員節(jié)省空間、減輕重量、降低散熱要求，并提高可靠性和降低系統(tǒng)成本。 大聯(lián)大品佳代理的英飛凌的這款SiC MOSFET帶來(lái)的影響非常顯著。電源轉(zhuǎn)換方案的開(kāi)關(guān)頻率可達(dá)到目前所用開(kāi)關(guān)頻率的三倍或以上。還能帶來(lái)諸多益處，如減少磁性元件和系統(tǒng)外殼所用的銅和鋁兩種材料的用量，便于打造更小、更輕的系統(tǒng)，從而減少運(yùn)輸工作量，并且更便于安裝。新解決方案有助于節(jié)能的特點(diǎn)由電源轉(zhuǎn)換設(shè)計(jì)人員來(lái)實(shí)現(xiàn)。這些應(yīng)用的性能、效率和系統(tǒng)靈活性也將提升至全面層面。 這款全新的MOSFET融匯了Infineon在SiC領(lǐng)域多年的開(kāi)發(fā)經(jīng)驗(yàn)，基于先進(jìn)的溝槽半導(dǎo)體工藝，代表著Infineon CoolSiC產(chǎn)品家族的最新發(fā)展。首款分立式1200 V CoolSiC MOSFET的導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）額定值為45mΩ。它們將采用3引腳和4引腳TO-247封裝，4引腳封裝有一個(gè)額外的源極連接端子（Kelvin），作為門(mén)極驅(qū)動(dòng)的信號(hào)管腳，以消除由于源極電感引起的壓降的影響，這可以進(jìn)一步降低開(kāi)關(guān)損耗，特別是在更高開(kāi)關(guān)頻率時(shí)。 另外，大聯(lián)大品佳代理的Infineon還推出基于SiC MOSFET技術(shù)的1200V‘Easy1B’半橋和升壓模塊。這些模塊采用PressFIT連接，有良好的熱界面、低雜散電感和堅(jiān)固的設(shè)計(jì)，每種封裝的模塊均有11mΩ和23mΩ的RDS（ON）額定值選項(xiàng)。 
圖示1-大聯(lián)大品佳集團(tuán)力推Infineon 1200V碳化硅MOSFET的主要產(chǎn)品 特色 Infineon的CoolSiC™ MOSFET采用溝槽柵技術(shù)，兼具可靠性與性能優(yōu)勢(shì)，在動(dòng)態(tài)損耗方面樹(shù)立了新標(biāo)桿，相比1200V硅（Si）IGBT低了一個(gè)數(shù)量級(jí)。該MOSFET完全兼容通常用于驅(qū)動(dòng)IGBT的+15 V/-5V電壓。它們將4V基準(zhǔn)閾值額定電壓（Vth）與目標(biāo)應(yīng)用要求的短路魯棒性和完全可控的dv/dt特性結(jié)合起來(lái)。與Si IGBT相比的關(guān)鍵優(yōu)勢(shì)包括：低溫度系數(shù)的開(kāi)關(guān)損耗和無(wú)閾值電壓的靜態(tài)特性。 這些晶體管能像IGBT一樣得到控制，在發(fā)生故障時(shí)得以安全關(guān)閉，此外，Infineon碳化硅MOSFET技術(shù)可以通過(guò)柵極電阻調(diào)節(jié)來(lái)改變開(kāi)關(guān)速度，因此可以輕松優(yōu)化EMC性能。 
圖示2-大聯(lián)大品佳集團(tuán)力推Infineon 1200V碳化硅MOSFET的產(chǎn)品規(guī)格 應(yīng)用 當(dāng)前針對(duì)光伏逆變器、不間斷電源（UPS）或充電/儲(chǔ)能系統(tǒng)等應(yīng)用的系統(tǒng)改進(jìn)，此后可將其范圍擴(kuò)大到工業(yè)變頻器。 更多的產(chǎn)品及方案信息，請(qǐng)洽大聯(lián)大品佳集團(tuán)技術(shù)人員：Infineon@sac.com.hk。 |
