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來源：經(jīng)濟日報 近日，中科院金屬研究所孫東明團隊聯(lián)合劉暢團隊，研發(fā)了一種連續(xù)合成、沉積和轉移單壁碳納米管薄膜的技術，首次在世界范圍內制備出米級尺寸高質量單壁碳納米管薄膜，并基于此構建出高性能的全碳薄膜晶體管（TFT）和集成電路（IC）器件。 單壁碳納米管因具有優(yōu)異的力學、電學和光學性質，被認為是制作柔性和透明電子器件最具競爭力的候選材料之一。但能否發(fā)展一種高效、宏量制備高質量單壁碳納米管薄膜的制備方法，一定程度上決定著該材料能否走向實際應用。研發(fā)團隊有關負責人解釋，首先，迄今制備的單壁碳納米管薄膜的尺寸通常為厘米量級，批次制備方式不能滿足規(guī)模化應用要求。其次，由于在碳納米管薄膜制備工藝過程中通常會引入雜質和結構缺陷，使得薄膜的光電性能劣化，遠低于理論預測值，種種因素導致單壁碳納米管薄膜的制備一直不甚理想。 通過制備方法的創(chuàng)新，研發(fā)團隊獲得了長度超過2米的單壁碳納米管薄膜。這是我國科學家首次開發(fā)出米級長度的單壁碳納米管薄膜的連續(xù)生長、沉積和轉移技術，為未來開發(fā)基于單壁碳納米管薄膜的大面積、柔性和透明電子器件奠定了材料基礎。 |
