官宣：銀聯(lián)寶首推低壓mos管！

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銀聯(lián)寶首次推出低壓mos管。下面小編呢就重點給大家介紹一下什么是低壓mos管！
一、什么是低壓mos管
mos管，即在集成電路中絕緣性場效應管。是金屬(metal)—氧化物(oxid)—半導體(semiconductor)場效應晶體管。或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導體。MOS管的source和drain是可以對調(diào)的，都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。在多數(shù)情況下，這個兩個區(qū)是一樣的，即使兩端對調(diào)也不會影響器件的性能。這樣的器件被認為是對稱的。

二、低壓mos的主要參數(shù)：
1.開啟電壓VT
·開啟電壓（又稱閾值電壓）：使得源極S和漏極D之間開始形成導電溝道所需的柵極電壓；
·標準的N溝道MOS管，VT約為3～6V；
·通過工藝上的改進，可以使MOS管的VT值降到2～3V。
2. 直流輸入電阻RGS
mos管·即在柵源極之間加的電壓與柵極電流之比、這一特性有時以流過柵極的柵流表示MOS管的RGS可以很容易地超過1010Ω。
漏源擊穿電壓BVDS
·在VGS=0（增強型）的條件下 ，在增加漏源電壓過程中使ID開始劇增時的VDS稱為漏源擊穿電壓BVDS
·ID劇增的原因有下列兩個方面：
（1）漏極附近耗盡層的雪崩擊穿
（2）漏源極間的穿通擊穿
·有些MOS管中，其溝道長度較短，不斷增加VDS會使漏區(qū)的耗盡層一直擴展到源區(qū)，使溝道長度為零，即產(chǎn)生漏源間的穿通，穿通后，源區(qū)中的多數(shù)載流子，直接受耗盡層電場的吸引，到達漏區(qū)，產(chǎn)生大的ID
4. 柵源擊穿電壓BVGS
·在增加柵源電壓過程中，使柵極電流IG由零開始劇增時的VGS，稱為柵源擊穿電壓BVGS。
5. 低頻跨導gm
·在VDS為某一固定數(shù)值的條件下 ，漏極電流的微變量和引起這個變化的柵源電壓微變量之比稱為跨導·gm反映了柵源電壓對漏極電流的控制能力·是表征MOS管放大能力的一個重要參數(shù)·一般在十分之幾至幾mA/V的范圍內(nèi)
6. 導通電阻RON
·導通電阻RON說明了VDS對ID的影響 ，是漏極特性某一點切線的斜率的倒數(shù)
·在飽和區(qū)，ID幾乎不隨VDS改變，RON的數(shù)值很大，一般在幾十千歐到幾百千歐之間
7. 極間電容
·三個電極之間都存在著極間電容：柵源電容CGS 、柵漏電容CGD和漏源電容CDS。
以上是對低壓mos管的簡單介紹，有需要的詳細可咨詢銀聯(lián)寶，我們可提供免費送樣！elanpo銀聯(lián)寶團隊將為您提供合理的建議。