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新思科技（Synopsys）宣布其數(shù)字和定制設(shè)計(jì)平臺通過了TSMC最先進(jìn)的5nm EUV工藝技術(shù)認(rèn)證。該認(rèn)證是多年廣泛合作的結(jié)果，旨在提供更優(yōu)化的設(shè)計(jì)解決方案，加快下一代設(shè)計(jì)的發(fā)展進(jìn)程。 Design Compiler Graphical綜合工具經(jīng)過了嚴(yán)格的5nm啟用驗(yàn)證，并證明了與IC Compiler II布局布線工具在時(shí)序、面積、功耗和布線擁塞方面的相關(guān)一致性。Design Compiler Graphical 5nm創(chuàng)新技術(shù)可以實(shí)現(xiàn)最佳性能、最低功耗和最優(yōu)面積，這些新技術(shù)包括過孔支柱優(yōu)化、多位庫和引腳接入優(yōu)化。 IC Compiler II的增強(qiáng)功能是滿足設(shè)計(jì)密度要求的關(guān)鍵。在優(yōu)化過程中可內(nèi)在地處理復(fù)雜的、多變量以及二維的單元布局，同時(shí)最大限度提高下游可布線性以及整體的設(shè)計(jì)收斂。 新思科技PrimeTime時(shí)序分析和signoff解決方案中的POCV分析已得到增強(qiáng)，能夠準(zhǔn)確地捕獲由于工藝縮放和通常用于實(shí)現(xiàn)能源效率而采用的低電壓操作導(dǎo)致的非線性變化。此外，PrimeTime物理感知ECO已擴(kuò)展到能夠支持更復(fù)雜的版圖規(guī)則，以改善擁塞、布局和引腳接入感知。 TSMC設(shè)計(jì)基礎(chǔ)設(shè)施市場部資深總監(jiān)Suk Lee表示，“5nm EUV技術(shù)是TSMC的核心里程碑，在提供業(yè)界最佳的工藝技術(shù)方面繼續(xù)擴(kuò)大了我們在更廣泛行業(yè)中的領(lǐng)先地位。我們一直保持與新思科技的密切合作，簡化設(shè)計(jì)流程并縮短上市時(shí)間，以幫助我們的共同用戶在這一新的工藝節(jié)點(diǎn)上使用新思科技設(shè)計(jì)平臺。此次合作最大程度地使該工藝在高性能計(jì)算和超低功耗移動(dòng)應(yīng)用上得以發(fā)揮優(yōu)勢。我們期待為下一代工藝節(jié)點(diǎn)繼續(xù)合作。” 新思科技芯片設(shè)計(jì)事業(yè)部營銷與商務(wù)開發(fā)副總裁Michael Jackson表示，“我們始終保持與TSMC廣泛合作，幫助我們的共同用戶在新思科技設(shè)計(jì)平臺上充分利用TSMC 5nm工藝技術(shù)的優(yōu)勢，從而加快世界領(lǐng)先的高密度芯片從設(shè)計(jì)到生產(chǎn)的過程，實(shí)現(xiàn)最低功耗、最佳性能和最優(yōu)面積。” 新思科技設(shè)計(jì)平臺相關(guān)技術(shù)文件、庫和寄生參數(shù)數(shù)據(jù)可以從TSMC獲得，并用于5nm工藝技術(shù)。通過TSMC 5nm FinFET工藝認(rèn)證的新思科技設(shè)計(jì)平臺的關(guān)鍵工具和功能包括：
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