來自臺北的消息，臺積電近日宣布開始計劃投資共100億美元左右的資金，來開發450mm晶圓工廠項目，預計該項目將在2013年正式投產，2015年將會在其基礎上進行20nm制程產品的研發，并實現真正量產。 通過之前的信息可以知道，臺積電第二家宣布投資450mm晶圓計劃的芯片廠（第一家為Intel）。若此項目能按時完成，那么臺積電的芯片制作工藝將大幅超越三星和GlobalFoundires，并接近Intel的水平。在德國芯片技術論壇中，臺積電首席技術總監曾提到建造450mm的晶圓廠，對于降低成本具有重大意義。
據知情人士透露，臺積電將逐步在Fab12工廠的第四期廠房中安裝450mm晶圓試產生產線，該地點選在臺灣新竹科技園區內。而最終的量產生產線，將逐步在Fab15廠的第5期廠房中安裝。 附一： 提速20倍！美光宣布混合存儲立方體技術 美光公司在一場投資者會議上宣布了自己在內存技術領域的新突破。這項創新技術名為“混合存儲立方體”（Hybrid Memory Cube，HMC），號稱單顆HMC芯片的性能是DDR3內存條的20倍。美光DRAM內存業務副總裁Brian M.Shirley表示，內存帶寬問題如今往往會成為計算機系統的瓶頸。而其癥結往往在于總線，即從DRAM內存芯片讀寫的數據無法馬上達到處理器。他舉 例稱，DDR2到DDR3的升級被屢屢推遲就是如此，因為人們無法從升級DDR3看到內存性能的提升。 為解決這一問題，HMC采用了堆疊封裝技術，將多層DRAM和一個邏輯電路層封裝在一起，并通過TSV硅穿孔技術進行互聯。這種立體的結構因此才被稱為“立方體”。
美光表示，HMC技術的關鍵就在于底層的這一層邏輯層，它實際上扮演了內存控制器的角色，可以使用超高帶寬總線和CPU連接，消除內存與CPU之間的帶寬/性能瓶頸。 據稱，單顆HMC芯片的性能超過DDR3內存條20倍以上，同時單位bit存儲空間的功耗僅僅是現有內存技術的十分之一，同等容量HMC的體積也僅僅是目前使用RDIMM內存條的十分之一。 HMC技術將首先應用于高性能領域，比如100Gbps高速網絡設備或超級計算機等。預計首批HMC企業級產品將在2012年亮相，2013年大批量推出，2015、2016年左右進入消費領域。 |
