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器件高度低于標準V外形尺寸，提高了封裝密度，可用于設計更薄的成品 Vishay擴充其T55系列vPolyTan表面貼裝聚合物鉭模塑片式電容器，新增加Z外形 (EIA 7343-19) 尺寸器件。 
日前發布的Vishay Polytech電容器高度比標準V 外形 (EIA 7343-20) 尺寸器件低0.1 mm，提高了封裝密度，可用于設計更薄的成品。這款器件適用于計算機、服務器、網絡基礎設施設備、固態硬盤和無線收發器的電源管理、電池解耦和儲能。 T55系列的外形尺寸為緊湊型J、P、A、B、T（低高度B，最高1.2mm）、D、V和Z，電容范圍為3.3 µF-680 µF，額定電壓2.5V-63V，電容公差為±20%。電容器在+25 °C條件下具有500mΩ到7mΩ超低ESR，這得益于聚合物陰極，其性能遠優于采用二氧化錳材料的器件。高達1000 µF電容值和低至6 m的ESR值器件正在開發中。 電容工作溫度范圍為-55 °C至+105 °C，具有高達5.66 A IRMS的優異紋波電流等級，其低內阻可提高充放電特性。T55系列電容器采用無鉛 (Pb) 端接，符合RoHS、無鹵素和Vishay綠色標準。器件可使用高速自動拾放設備進行貼裝，潮濕敏感度等級 (MSL) 為3級。 T55系列Z外形尺寸電容器現可提供樣品并已實現量產，供貨周期為12到14周。 |
