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器件采用PowerPAK SO-8單體封裝，柵極電荷為52 nC，輸出電荷為68 nC均達到同類產(chǎn)品最佳水平 Vishay推出新款6.15 mm x 5.15 mm PowerPAK SO-8單體封裝的60 V TrenchFET 第四代 n溝道功率MOSFET---SiR626DP。Vishay Siliconix SiR626DP專門用于提高功率轉(zhuǎn)換拓撲結(jié)構(gòu)的效率，導(dǎo)通電阻比前代器件降低36%，同時柵極電荷和輸出電荷達到同類產(chǎn)品最低水平。 
日前發(fā)布的器件10 V條件下最大導(dǎo)通電阻降至1.7 m，柵極電荷僅為52 nC，輸出電荷為68 nC，COSS為992 pF。在功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中，這款MOSFET的柵極電荷與導(dǎo)通電阻乘積和輸出電荷與導(dǎo)通電阻乘積優(yōu)值系數(shù) (FOM) 分別比前代器件降低32 %和45 %。MOSFET的COSS降低69 %。 SiR626DP改進了技術(shù)規(guī)格，經(jīng)過調(diào)校最大限度降低導(dǎo)通和開關(guān)損耗。器件提高了AC/DC拓撲結(jié)構(gòu)同步整流，隔離式DC/DC拓撲結(jié)構(gòu)原邊和副邊開關(guān)效率，適用于太陽能微型逆變器和通信、服務(wù)器、醫(yī)療設(shè)備電源、電動工具和工業(yè)設(shè)備電機驅(qū)動控制、電池管理模塊的電池切換。 MOSFET經(jīng)過100% RG和UIS測試，符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，無鹵素。 SiR626DP現(xiàn)可提供樣品并已實現(xiàn)量產(chǎn)。產(chǎn)品供貨周期為30周，視市場情況而定。 |
