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以高速順序寫入速度和高容量優(yōu)化用戶5G時代移動新體驗 西部數(shù)據(jù)公司發(fā)布新款嵌入式閃存盤，旨在從速度和容量方面更好地優(yōu)化超高端智能手機及移動設備的功能，豐富5G時代環(huán)境下智能手機用戶的移動體驗。iNAND MC EU511采用公司先進的96層3D NAND技術，支持UFS 3.0 Gear 4/2 Lane規(guī)范。性能優(yōu)越的第6代iNAND SmartSLC技術可實現(xiàn)高達750MB/s*的高速順序寫入性能，僅需3.6秒就可下載一部長達2小時的電影 。 
< 西部數(shù)據(jù)iNAND MC EU511 嵌入式閃存盤 > 5G的標準模式可為所有的移動和終端設備帶來快傳輸、低延遲、低功耗和高網(wǎng)絡容量等優(yōu)勢。 實現(xiàn)這些功能需要高速數(shù)據(jù)接口，如UFS 3.0，不僅可以改造智能手機，還可以改造數(shù)十億互聯(lián)物聯(lián)網(wǎng)( IoT )設備。 西部數(shù)據(jù)公司Devices事業(yè)部高級總監(jiān)Oded Sagee表示：“智能手機正在日益成為萬物互聯(lián)的中心。高速5G網(wǎng)絡旨在實現(xiàn)比之前快100倍的數(shù)據(jù)傳輸速度，并在更多的設備上部署人工智能(AI)。人工智能（AI）由集成式神經(jīng)處理單元(NPU)所驅動，允許我們訪問大數(shù)據(jù)和快速數(shù)據(jù)，這將改變我們使用智能手機的方式。面對實時邊緣計算的高需求，嚴格的數(shù)據(jù)捕獲標準和訪問模式將成為5G設備必須滿足的基本條件。有了UFS 3.0嵌入式閃存盤，西部數(shù)據(jù)可以讓用戶按需、無縫、即時地體驗5G應用的新威力。” 5G移動設備可以借由UFS 3.0閃存接口，為增強現(xiàn)實(AR)、虛擬現(xiàn)實(VR)和移動游戲等應用提供更高的性能和更低的延遲。此外，快速的網(wǎng)絡將使消費者能夠在移動設備上快速下載和查看超高分辨率照片和4K/ 8K媒體資源。 通過iNAND MC EU511 嵌入式閃存盤為構建5G設備做好準備 iNAND MC EU511嵌入式閃存盤憑借快于上一代產品接近兩倍的順序讀性能以及高達750MB/s的高速順序寫入性能而領先于業(yè)界。隨著隨機讀/寫性能的提高以及容量從64GB到512GB的提升，iNAND MC EU511嵌入式閃存盤已為即將到來的5G革命做好了準備。目前西部數(shù)據(jù)公司正在與各OEM合作，送樣測試iNAND MC EU511 嵌入式閃存盤解決方案。欲了解有關更多相關信息，請訪問：Western Digital。 |
