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在2011 SPIE 高級光刻技術(shù)會議上，臺積電（TSMC）公布了其450mm 晶圓廠的一些詳細情況。TSMC 研發(fā)資深副總裁 Shang-Yi Chiang在會上透露芯片代工巨頭TSMC希望于2015 或 2016年在其全線450mm晶圓中制造14納米的FinFET器件。 據(jù)報道，三星，英特爾和臺積電都在大力推動450mm晶圓工藝的發(fā)展。英特爾已經(jīng)宣 布興建兩座450mm晶圓廠，各大晶圓設備工具提供商已經(jīng)著手為450mm工藝開發(fā)做好準備， 但是大部分相關(guān)技術(shù)仍然落后于業(yè)界的450mm晶圓路線圖。部分業(yè)內(nèi)人士認為450mm晶圓技術(shù)的這種狀況將導致供應鏈混亂。 最近臺積電表態(tài)將在2013至2014年期間在臺灣安裝其首條450mm晶圓生產(chǎn)線，將導入20納米節(jié)點進程和450mm晶圓工藝，但沒有公布更多的細節(jié)。 在演講結(jié)束后接受SPIE采訪時，Chiang闡述了臺積電的計劃。首先，臺積電希望在其新竹的Fab12廠里安裝450mm試生產(chǎn)線。 該生產(chǎn)線將制造20納米節(jié)點器件，臺積電方面希望在2013至2014年期間這條生產(chǎn)線能投入試產(chǎn)， 然后計劃將其450mm生產(chǎn)工藝引入臺中的Feb15廠，其將能處理14納米節(jié)點工藝。在14納米工藝中，臺積電計劃在晶體管中引入開關(guān)結(jié)構(gòu)。在20納米及以上節(jié)點上，臺積電將繼續(xù)使用傳統(tǒng)的平面結(jié)構(gòu)體硅CMOS晶體管。在14納米節(jié)點上，該公司計劃實從傳統(tǒng)CMOS切換到三維FinFET結(jié)構(gòu)。因此，臺積電將在Feb15廠制造14納米FinFETs器件并預計在2015年至2016年進行銷售。 臺積電的技術(shù)人員表示，450mm晶圓將比300mm晶圓多出2.25至2.40倍的產(chǎn)能，但他承認450mm晶圓工藝還存在一些挑戰(zhàn)，即如何促使設備供應商投入450mm晶圓設備的研發(fā)。有一段時間，大多數(shù)晶圓設備提供商都不愿意投資450mm晶圓設備，因為大部分人認為其過于昂貴而且很少或者幾乎沒有回報。現(xiàn)在，晶圓設備提供商重新對450mm晶圓設備燃起了興趣，因為領(lǐng)導450mm晶圓技術(shù)發(fā)展的SEMATECH聯(lián)盟為晶圓設備提供商研發(fā)450mm晶圓設備提供了一些資金，其次，全球最大的芯片制造商在正努力推動450mm工藝的發(fā)展而晶圓設備提供商不希望失去這方面的訂單。 在會上的問答環(huán)節(jié)上，Chiang提及政府將為450mm晶圓工藝研發(fā)的一半的經(jīng)費，但是他沒有再作進一步的說明。巴克萊銀行分析師 C.J.Muse 在最近的一份報告中提到“我們可以看到晶圓設備提供商對接受450mm晶圓工藝表現(xiàn)出越來越多的意愿，我們覺得在2016至2018年間450mm晶圓將被用于實際生產(chǎn)” |
