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晚報(bào)訊 移動硬盤讀寫速度太慢、隨身U盤容量不夠……這些日常生活中與數(shù)據(jù)相關(guān)的問題，其實(shí)都與“存儲器”有關(guān)。記者昨天從復(fù)旦大學(xué)獲悉，由該校信息科學(xué)與工程學(xué) 院微電子學(xué)系江安全教授率領(lǐng)的研究團(tuán)隊(duì)與國內(nèi)外專家合作，成功研制出一種新型存儲器，不僅讀寫速度更快、可靠性更強(qiáng)，體積也更小。據(jù)悉，該新型存儲器將比 現(xiàn)在廣泛使用的閃存硬盤速度快106倍。同時(shí)，存儲量也大大提升。 據(jù)介紹，江安全教授帶領(lǐng)的研究小組與中科院物理所、首爾大學(xué)、劍橋大學(xué)等合作，在高密度鐵電阻變存儲器（Ferro-RRAM）研究中取得重大進(jìn)展。這也就意味著，在存儲器領(lǐng)域中，讀寫速度更快、可靠性更強(qiáng)、體積更小的存儲器有望誕生，其原理已經(jīng)取得實(shí)驗(yàn)證實(shí)。 據(jù)江安全教授介紹，鐵電存儲器最大的優(yōu)點(diǎn)在于讀寫速度快，相比現(xiàn)在廣泛使用的閃存硬盤以毫秒為單位的運(yùn)轉(zhuǎn)速度，鐵電存儲器可以達(dá)到幾十納秒，快106倍，可廣泛應(yīng)用于高性能移動數(shù)字設(shè)備和電腦，大大提升讀寫數(shù)據(jù)的效率。 在容量方面，江安全教授介紹，正是由于鐵電變阻器在“高密度”研究方面的成功突破，使得它單位體積內(nèi)的存儲容量比現(xiàn)有的電容存儲器等有了巨大的提升空間。除了信息高密度存儲和快速擦寫特性，鐵電存儲器還具備電壓低、成本低、損耗低、體積小的優(yōu)點(diǎn)，具有極大的產(chǎn)業(yè)化潛力，尤其是在電子標(biāo)簽、移動電話、公交卡、隨身聽、游戲卡和數(shù)碼相機(jī)等耗電少的電子產(chǎn)品中，將率先得到應(yīng)用和發(fā)展。對數(shù)碼相機(jī)而言，如果存儲器所需電壓較高，電池就得做大，否則電力無法持久，鐵電存儲器就可實(shí)現(xiàn)低電壓條件。在電子標(biāo)簽領(lǐng)域，也就是我們所熟悉的“條形碼”，使用鐵電存儲器可大大節(jié)省結(jié)賬時(shí)間，原本需逐一掃描的條形碼可以成批同時(shí)掃描，這些都將更加便利我們的生活。 目前，相關(guān)研究成果已在材料類國際頂級刊物《Advance.Material.》雜志上發(fā)表，并已申請基于該原形器件工作原理的兩項(xiàng)國內(nèi)發(fā)明專利和一項(xiàng)國際專利，為其今后的產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程奠定了基礎(chǔ)。 |
