S70KS1283GABHB020，S70KS1283GABHI020，S27KS0642GABHV020存儲器

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明佳達(dá)，星際金華供求 S70KS1283GABHB020，S70KS1283GABHI020，S27KS0642GABHV020存儲器



S70KS1283GABHB020 200MHz 35ns PSRAM 存儲器 IC

產(chǎn)品描述
S70KS1283GABHB020 是高性能嵌入式系統(tǒng)的理想之選，該系統(tǒng)需要擴(kuò)展內(nèi)存，用于刮板或緩沖。

功能特點
相移時鐘用于在讀取數(shù)據(jù)眼內(nèi)移動 RWDS 轉(zhuǎn)換邊沿
200 MHz 最大時鐘速率

集成電路芯片 35ns S70KS1283GABHI020 128Mbit SPI - 八進(jìn)制 I/O 存儲器 IC

產(chǎn)品說明
S70KS1283GABHI020 是一款高速、低引腳數(shù)、低功耗的自刷新動態(tài) RAM (DRAM)，適用于需要擴(kuò)展存儲器用于刮板或緩沖的高性能嵌入式系統(tǒng)。

特性
DDR - 在時鐘的兩個邊沿上傳輸數(shù)據(jù)
數(shù)據(jù)吞吐量高達(dá) 400 MBps（3,200 Mbps）
可配置的突發(fā)特性

S27KS0642GABHV020 DRAM HyperRAM 存儲器 IC 64Mbit 24-VBGA 表面貼裝

產(chǎn)品描述
S27KS0642GABHV020 的 DRAM 單元不能在讀取或?qū)懭胧聞?wù)期間刷新，這就要求主機限制讀取或?qū)懭胪话l(fā)傳輸?shù)拈L度，以便在需要時進(jìn)行內(nèi)部邏輯刷新操作。

特性
線性突發(fā)
封裝突發(fā)長度
混合選項 - 一個封裝突發(fā)后是線性突發(fā)