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ROHM（總部位于日本京都）開發出1.6mm×1.6mm尺寸超小型MOSFET“RV4xxx系列”，該系列產品可確保部件安裝后的可靠性，且符合汽車電子產品可靠性標準AEC-Q101，是確保車規級品質的高可靠性產品。另外，產品采用了ROHM獨有的封裝加工技術，非常有助于對品質要求高的高級駕駛輔助系統（ADAS）攝像頭模塊等汽車電子的小型化。 RV4xxx系列已于2019年5月份開始出售樣品（樣品價格 100日元／個，不含稅），預計于2019年9月開始暫以月產10萬個規模投入量產。 
近年來，ADAS不可或缺的車載攝像頭，受安裝空間的限制，對所配置部件的小型化要求越來越高。為滿足這些市場需求，在保持大電流的前提下，有望進一步實現小型化的底部電極封裝MOSFET備受矚目。 另一方面，對于汽車電子產品，為確�？煽啃裕瑫诋a品安裝后進行外觀檢測※1），但由于底部電極封裝在側面沒有充分形成穩定的焊接面，因此無法確保汽車電子需要的焊料高度，并且很難確認安裝后的焊接狀態，這是長期以來存在的課題。 ROHM一直致力于包括超小型MOSFET在內的行業領先產品的開發，并創造了傲人業績。此次，通過引入ROHM獨有工藝方法的 Wettable Flank成型技術※2），底面電極封裝也能形成焊接面。作為業界首家※保證封裝側面電極部分130μm的高度，因此可在產品安裝后的外觀檢測中可以充分確認焊接狀態。 未來，ROHM會充分運用Wettable Flank成型技術優勢，繼續開發小型封裝技術，并將技術優勢從MOSFET擴展到雙極晶體管和二極管產品，持續擴充追求小型高可靠性的產品陣容。 ※截至2019年7月23日 ROHM調查數據
＜特點＞ 1. 利用融入ROHM獨有工藝方法的Wettable Flank成型技術，保證封裝側面電極部分130μm的高度 Wettable Flank成型技術是在封裝側面的引線框架部加入切割再進行電鍍的技術。但是，引線框架切割高度越高越容易產生毛刺。 為此，ROHM開發出獨有的工藝方法，在引線框架整個表面上設置了用來減少毛刺的阻擋層。這可以防止產品安裝時的傾斜和焊接不良，而且作為DFN1616封裝產品（1.6mm×1.6mm），業界首家保證封裝側面電極部分130μm的高度。
2．替換為小型底部電極 MOSFET，削減安裝面積 以往ADAS攝像頭模塊的反接保護電路主要采用肖特基勢壘二極管（SBD）。但是，隨著攝像頭的分辨率日益提高，在超大電流化方向發展的車載市場，由于小型底部電極MOSFET具有導通電阻低且可減少發熱量的特點，替換掉SBD已經是大勢所趨。 例如電流2.0A、功耗0.6W時，在車載市場被廣為使用的帶引腳封裝MOSFET，與SBD相比，可削減30%的安裝面積。而底部電極封裝的MOSFET，由于是底部電極，散熱性更好，不僅可實現小型化，還可實現大電流化。因此，與傳統的SBD相比，其安裝面積可削減78%，與普通的MOSFET相比，其安裝面積可削減68%。
＜產品陣容＞
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