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專家介紹，AFGHL50T65SQDC采用最新的場截止IGBT和SiC肖特基二極管技術，提供低導通損耗和開關損耗，用于多方面的電源應用，包括那些將得益于更低反向恢復損耗的應用，如基于圖騰柱的無橋功率因數校正(PFC)和逆變器。下面一起來閱讀本文，了解具體的知識。 該器件將硅基IGBT與SiC肖特基勢壘二極管共同封裝，從而在硅基方案的較低性能和完全基于SiC方案的較高成本之間提供出色的權衡。該高性能器件額定工作電壓650V，能夠處理高達100A@25C(50A@100C)的連續電流，以及高達200A的脈沖電流。 對于需要更大電流能力的系統，正溫度系數令并行工作更簡便。現代電動汽車的應用不僅利用能源行駛，在某些情況下還儲存能量，以便在高峰時期為家庭供電。這需要一個雙向充電器，必須有高的開關效率，以確保轉換時不浪費能量。 在這種情況下，集成外部SiC二極管的IGBT比MOSFET方案提供更高能效，因為沒有相關的正向或反向恢復損耗。 富昌電子[Future Electronics]是全球領先的電子元器件分銷商，提供全面的[usb連接器]等產品線，在業界享有盛名。作為一家全球整合的公司，富昌電子依托全球一體化信息平臺，使客戶能夠實時查詢庫存情況和供需動態。富昌電子官網是富昌官方[RC1206JR-070RL]在內的熱門料號，歡迎咨詢。 富昌電子https://www.futureelectronics.cn |
