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基于格芯先進FinFET平臺的下一代高帶寬存儲器解決方案旨在為基于云的AI應用提供所需的容量、速度和功耗 格芯（GLOBALFOUNDRIES）和SiFive, Inc.今天在中國臺灣格芯技術大會(GTC)上宣布，他們正基于格芯最近發布的12LP+ FinFET解決方案，合作拓展配備高帶寬存儲器(HBM2E)技術的下一代高性能DRAM，同時提供2.5D封裝設計服務，賦能人工智能(AI)應用的快速上市。 為了滿足數據密集型AI訓練應用的容量和帶寬，系統設計師需要將更多帶寬壓縮到較小的區域中，并同時保持合理的功耗。SiFive基于格芯12LP平臺和12LP+解決方案的可定制高帶寬存儲器接口將實現高帶寬存儲輕松集成到單個片上系統(SoC)解決方案中，在計算和有線基礎設施市場中，為AI應用提供快速、節能的數據處理。 作為合作的一部分，設計人員還可以使用SiFive的RISC-V IP組合和DesignShare IP生態系統。該系統利用格芯的12LP+設計技術協同優化(DTCO)，幫助他們顯著提高芯片的專業化，提高設計效率并快速、高效地交付差異化的SoC解決方案。 SiFive IP業務部門副總裁兼總經理Mohit Gupta表示：“SiFive的參考IP平臺通過采用HBM2E技術進行擴展并建立在性能出色的格芯12LP+解決方案上，可為下一代SoC和加速器提供更高水平的性能和集成。部署高度優化的芯片需要高度可定制的功能，才能在低功耗和較小面積的需求之間實現平衡，并在低延遲的性能下，實現AI所需的更高的TOPS/毫瓦比，滿足應用的需求。” 格芯的計算和有線基礎架構戰略業務部(CWI SBU)首席技術官Ted Letavic表示“格芯長期致力于提供差異化的FinFET特定應用解決方案和IP，幫助客戶為AI應用開發性能增強型產品。結合格芯先進的FinFET平臺和SiFive獨特的設計方法，我們將開發獨特的高性能邊緣計算解決方案，使設計人員能夠充分利用數據爆炸的優勢。” 格芯的12LP+是針對AI訓練和推理應用的創新型解決方案，可為設計人員提供高速、低功耗的0.5Vmin SRAM比特單元，用于在處理器與內存之間快速、節能地傳輸數據。此外，用于2.5D封裝的新中介層有助于集成高帶寬存儲器與處理器，從而實現快速、節能的數據處理。 格芯在紐約馬耳他的Fab 8正在開發SiFive基于格芯12LP和12LP+的HBM2E接口與定制IP解決方案。客戶可以在2020年上半年開始優化芯片設計，以針對高性能計算和邊緣AI應用開發差異化的解決方案。 |
