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一般計算機系統(tǒng)所使用的隨機存取內存主要包括動態(tài)與靜態(tài)隨機存取內存兩種，差異在于DRAM需要由存儲器控制電路按一定周期對存儲器刷新，才能維系數據保存，SRAM的數據則不需要刷新過程，在上電期間數據不會丟失。 SRAM是一種具有靜止存取功能內存的靜態(tài)隨機存儲器，不需要進行刷新電路便能保存它內部存儲的數據。 DRAM即是動態(tài)隨機存儲器,動態(tài)隨機存儲器采用動態(tài)存儲單元的隨機存儲器，簡稱DRAM或是動態(tài)RAM。 SRAM則不需要刷新電路即能保存它內部存儲的數據。而DRAM每隔一段時間，要刷新充電一次，否則內部的數據即刻會消失，因此SRAM具有相對較高的性能，但是SRAM也有缺點，即它的集成度較低，功耗較DRAM大 ，相同容量的DRAM的內存可以設計為比較小的體積，但是SRAM卻需要很大的體積才可以。同樣面積的硅片可以做出更大容量的DRAM，因此SRAM顯得更貴。 SRAM是比DRAM更為昂貴，但更為快速、低功耗（僅空閑狀態(tài)）。因此SRAM首選用于帶寬要求高。SRAM比起DRAM更為容易控制，也更是隨機訪問。由于復雜的內部結構，SRAM比DRAM的占用面積更大，因而不適合用于更高儲存密度低成本的應用，如PC內存。 時鐘頻率與功耗 SRAM功耗取決于它的訪問頻率。如果用高頻率訪問SRAM，其功耗比DRAM大得多。有的SRAM在全帶寬時功耗達到幾個瓦特量級。另一方面SRAM如果用于溫和的時鐘頻率的微處理器，其功耗將非常小，在空閑狀態(tài)時功耗可以忽略不計—幾個微瓦特級別。英尚微電子VTI代理SRAM芯片,提供技術支持指導. VTI 低功耗SRAM型號
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| SRAM是一種具有靜止存取功能內存的靜態(tài)隨機存儲器，不需要進行刷新電路便能保存它內部存儲的數據。 |
| DRAM即是動態(tài)隨機存儲器,動態(tài)隨機存儲器采用動態(tài)存儲單元的隨機存儲器，簡稱DRAM或是動態(tài)RAM。 |
| SRAM則不需要刷新電路即能保存它內部存儲的數據。而DRAM每隔一段時間，要刷新充電一次，否則內部的數據即刻會消失，因此SRAM具有相對較高的性能，但是SRAM也有缺點，即它的集成度較低，功耗較DRAM大 ，相同容量的DRAM的內存可以設計為比較小的體積，但是SRAM卻需要很大的體積才可以。同樣面積的硅片可以做出更大容量的DRAM，因此SRAM顯得更貴。 |
