FPGA編程技術(shù)
目前，市場上有三種基本的FPGA編程技術(shù)：SRAM、反熔絲、Flash。其中，SRAM是迄今為止應(yīng)用范圍最廣的架構(gòu)，主要因為它速度快且具有可重編程能力，而反熔絲FPGA只具有一次可編程能力。基于Flash的FPGA是比較新的技術(shù)，也能提供可重編程功能。
基于SRAM的FPGA器件經(jīng)常帶來一些其他的成本，包括啟動PROMS支持安全和保密應(yīng)用的備用電池等。基于Flash和反熔絲的FPGA沒有這些隱含成本，因此可保證較低的總系統(tǒng)成本。
1.基于SRAM的FPGA
這類產(chǎn)品是基于SRAM結(jié)構(gòu)的可再配置型器件，通電時要將配置數(shù)據(jù)讀入片內(nèi)SRAM中，配置完成就可進(jìn)入工作狀態(tài)。斷電后SRAM中的配置數(shù)據(jù)丟失，F(xiàn)PGA內(nèi)部邏輯關(guān)機也隨之消失，這種基于SRAM的FPGA可反復(fù)使用。
2.反熔絲FPGA
采用反熔絲編程技術(shù)的FPGA內(nèi)部具有反熔絲陣列開關(guān)結(jié)構(gòu)，其邏輯功能的定義由專用編程器根據(jù)設(shè)計實現(xiàn)所給出的數(shù)據(jù)文件，對其內(nèi)部反熔絲真累進(jìn)行燒錄，從而使器件實現(xiàn)相應(yīng)的邏輯功能。
這種器件的缺點是只能一次性編程，有點是具有高抗干擾性和低功耗，適合于要求高可靠性、高保密性的定型產(chǎn)品。
3.基于Flash的FPGA
在這類FPGA器件中集成了SRAM和非易失性EEPROM兩類存儲結(jié)構(gòu)。其中SRAM用于在器件正常工作時對系統(tǒng)進(jìn)行控制，而EEPROM則用來裝載SRAM。由于這類FPGA將EEPROM集成在基于SRAM工藝的現(xiàn)場可編輯器件中，因而可以充分發(fā)揮EEPROM的非易失性和SRAM的重配置性。
斷電后，配置信息保存在片內(nèi)的EEPROM重，因此不需要片外的配置芯片，有助于降低系統(tǒng)成本、提高設(shè)計的安全性。 |
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