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Everspin在磁存儲器設計，MRAM,STT-MRAM的制造和交付到相關應用中的知識和經驗在半導體行業中是獨一無二的。擁有超過600多項有效專利和申請的知識產權產品組合，在平面內和垂直磁隧道結（MTJ）STT-MRAM位單元的開發方面處于市場領先地位。英尚微電子作為everspin的核心代理商,所提供的MRAM具有高度可靠的數據存儲.沒有寫延遲，并且讀/寫壽命不受限制。 產品描述 MR20H40CDF是Everspin 所生產的由4194,304位磁阻隨機存取存儲器（MRAM）設備系列，組織為524,288個8位字。對于必須使用少量I/O引腳快速存儲和檢索數據和程序的應用程序，它們是理想的內存解決方案。它們具有串行EEPROM和串行閃存兼容的讀/寫時序，沒有寫延遲，并且讀/寫壽命不受限制。與其他串行存儲器不同，使用MR2xH40系列，讀取和寫入都可以在內存中隨機發生，而寫入之間沒有延遲。 MR20H40CDF系列可在各種溫度范圍內提供高度可靠的數據存儲。MR20H40CDF MRAM存儲芯片（50MHz）提供了（-40°至+85°C）的工業溫度范圍。MR20H40CDF（40MHz）具有工業（-40°至+85°C），擴展（-40至105°C）和AEC-Q1001級（-40°C至+125°C）工作溫度范圍選項。兩者均采用5x6mm，8引腳DFN封裝。該引腳與串行SRAM，EEPROM，閃存和FeRAM產品兼容。 產品圖片 產品特征 沒有寫入延遲 •無限的寫續航力 •數據保留超過20年 •斷電時自動數據保護 •快速，簡單的SPI接口，MR20H40的時鐘速率高達50 MHz。 •3.0至3.6伏電源范圍 •低電流睡眠模式 •工業（-40至85°C），擴展（-40至105°C）和AEC-Q100 1級（-40至125°C）溫度范圍選項。 •提供符合RoHS要求的8引腳DFN或8引腳DFN小標志。 •直接替換串行EEPROM，閃存和FeRAM •MSL 3級 規格書下載 
MR20H40.pdf
(1.67 MB)
DFN封裝引腳圖（頂視圖） |
| MR20H40CDF系列可在各種溫度范圍內提供高度可靠的數據存儲。MR20H40CDF MRAM存儲芯片（50MHz）提供了（-40°至+85°C）的工業溫度范圍。MR20H40CDF（40MHz）具有工業（-40°至+85°C），擴展（-40至105°C）和AEC-Q1001級（-40°C至+125°C）工作溫度范圍選項。 |
| MR20H40CDF是Everspin 所生產的由4194,304位磁阻隨機存取存儲器（MRAM）設備系列，組織為524,288個8位字。對于必須使用少量I/O引腳快速存儲和檢索數據和程序的應用程序，它們是理想的內存解決方案。 |
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產品特征 沒有寫入延遲 •無限的寫續航力 •數據保留超過20年 •斷電時自動數據保護 •快速，簡單的SPI接口，MR20H40的時鐘速率高達50 MHz。 •3.0至3.6伏電源范圍 •低電流睡眠模式 •工業（-40至85°C），擴展（-40至105°C）和AEC-Q100 1級（-40至125°C）溫度范圍選項。 •提供符合RoHS要求的8引腳DFN或8引腳DFN小標志。 •直接替換串行EEPROM，閃存和FeRAM •MSL 3級 |
