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Everspin在磁存儲(chǔ)器設(shè)計(jì)，MRAM,STT-MRAM的制造和交付到相關(guān)應(yīng)用中的知識(shí)和經(jīng)驗(yàn)在半導(dǎo)體行業(yè)中是獨(dú)一無(wú)二的。擁有超過(guò)600多項(xiàng)有效專(zhuān)利和申請(qǐng)的知識(shí)產(chǎn)權(quán)產(chǎn)品組合，在平面內(nèi)和垂直磁隧道結(jié)（MTJ）STT-MRAM位單元的開(kāi)發(fā)方面處于市場(chǎng)領(lǐng)先地位。英尚微電子作為everspin的核心代理商,所提供的MRAM具有高度可靠的數(shù)據(jù)存儲(chǔ).沒(méi)有寫(xiě)延遲，并且讀/寫(xiě)壽命不受限制。 產(chǎn)品描述 MR20H40CDF是Everspin 所生產(chǎn)的由4194,304位磁阻隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（MRAM）設(shè)備系列，組織為524,288個(gè)8位字。對(duì)于必須使用少量I/O引腳快速存儲(chǔ)和檢索數(shù)據(jù)和程序的應(yīng)用程序，它們是理想的內(nèi)存解決方案。它們具有串行EEPROM和串行閃存兼容的讀/寫(xiě)時(shí)序，沒(méi)有寫(xiě)延遲，并且讀/寫(xiě)壽命不受限制。與其他串行存儲(chǔ)器不同，使用MR2xH40系列，讀取和寫(xiě)入都可以在內(nèi)存中隨機(jī)發(fā)生，而寫(xiě)入之間沒(méi)有延遲。 MR20H40CDF系列可在各種溫度范圍內(nèi)提供高度可靠的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)。MR20H40CDF MRAM存儲(chǔ)芯片（50MHz）提供了（-40°至+85°C）的工業(yè)溫度范圍。MR20H40CDF（40MHz）具有工業(yè)（-40°至+85°C），擴(kuò)展（-40至105°C）和AEC-Q1001級(jí)（-40°C至+125°C）工作溫度范圍選項(xiàng)。兩者均采用5x6mm，8引腳DFN封裝。該引腳與串行SRAM，EEPROM，閃存和FeRAM產(chǎn)品兼容。 產(chǎn)品圖片 產(chǎn)品特征 沒(méi)有寫(xiě)入延遲 •無(wú)限的寫(xiě)續(xù)航力 •數(shù)據(jù)保留超過(guò)20年 •斷電時(shí)自動(dòng)數(shù)據(jù)保護(hù) •快速，簡(jiǎn)單的SPI接口，MR20H40的時(shí)鐘速率高達(dá)50 MHz。 •3.0至3.6伏電源范圍 •低電流睡眠模式 •工業(yè)（-40至85°C），擴(kuò)展（-40至105°C）和AEC-Q100 1級(jí)（-40至125°C）溫度范圍選項(xiàng)。 •提供符合RoHS要求的8引腳DFN或8引腳DFN小標(biāo)志。 •直接替換串行EEPROM，閃存和FeRAM •MSL 3級(jí) 規(guī)格書(shū)下載 
MR20H40.pdf
(1.67 MB)
DFN封裝引腳圖（頂視圖） |
| MR20H40CDF系列可在各種溫度范圍內(nèi)提供高度可靠的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)。MR20H40CDF MRAM存儲(chǔ)芯片（50MHz）提供了（-40°至+85°C）的工業(yè)溫度范圍。MR20H40CDF（40MHz）具有工業(yè)（-40°至+85°C），擴(kuò)展（-40至105°C）和AEC-Q1001級(jí)（-40°C至+125°C）工作溫度范圍選項(xiàng)。 |
| MR20H40CDF是Everspin 所生產(chǎn)的由4194,304位磁阻隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（MRAM）設(shè)備系列，組織為524,288個(gè)8位字。對(duì)于必須使用少量I/O引腳快速存儲(chǔ)和檢索數(shù)據(jù)和程序的應(yīng)用程序，它們是理想的內(nèi)存解決方案。 |
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產(chǎn)品特征 沒(méi)有寫(xiě)入延遲 •無(wú)限的寫(xiě)續(xù)航力 •數(shù)據(jù)保留超過(guò)20年 •斷電時(shí)自動(dòng)數(shù)據(jù)保護(hù) •快速，簡(jiǎn)單的SPI接口，MR20H40的時(shí)鐘速率高達(dá)50 MHz。 •3.0至3.6伏電源范圍 •低電流睡眠模式 •工業(yè)（-40至85°C），擴(kuò)展（-40至105°C）和AEC-Q100 1級(jí)（-40至125°C）溫度范圍選項(xiàng)。 •提供符合RoHS要求的8引腳DFN或8引腳DFN小標(biāo)志。 •直接替換串行EEPROM，閃存和FeRAM •MSL 3級(jí) |
