據(jù)多方消息來源稱，開發(fā)納米壓印光刻技術(shù)的主要廠商之一Molecular Imprints已經(jīng)開始裁員，受到此次裁員影響的人數(shù)約在20人左右。而導(dǎo)致該公司裁員的原因則是未能按時(shí)開發(fā)出可供下一代硬盤存儲(chǔ)技術(shù)位元圖案介質(zhì) (bit patterned media BPM)使用的納米壓印光刻技術(shù)。盡管最近業(yè)內(nèi)對(duì)納米壓印光刻技術(shù)的樂觀情緒剛剛有所抬頭，許多人都認(rèn)為納米壓印技術(shù)有機(jī)會(huì)在CMOS芯片制造領(lǐng)域，特別是NAND閃存芯片制造領(lǐng)域站穩(wěn)腳跟，但這次裁員事件無疑給這種樂觀心態(tài)潑上了一盆冷水。
納米壓印技術(shù)原理圖 除了芯片制作領(lǐng)域之外，納米壓印技術(shù)的另一個(gè)潛在市場(chǎng)是硬盤盤片制作。目前硬盤盤片主要采用垂直記錄技術(shù)來存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，這種硬盤的盤片仍采用濺射工藝制作，不過硬盤單碟容量很快會(huì)達(dá)到1TB的壁壘。為此以日立全球存儲(chǔ)公司和東芝公司為首的幾家公司提出了位元圖案介質(zhì)技術(shù)(BPM:bit-patterned media)來取代現(xiàn)有的垂直記錄技術(shù)，據(jù)稱這種技術(shù)的單碟容量可達(dá)10TB水平。理論上說，納米壓印技術(shù)應(yīng)該是制作BPM盤片的最佳選擇。不過實(shí)際情況是BPM技術(shù)似乎并沒有獲得大多數(shù)硬盤廠商的首肯，比如西數(shù)公司便曾公開表示這種技術(shù)不會(huì)實(shí)現(xiàn)批量生產(chǎn)，而且目前許多硬盤廠商也在努力延長垂直記錄技術(shù)的壽命（比如目前較為熱門的垂直記錄增強(qiáng)技術(shù)熱輔助磁記錄技術(shù)HAMR），如果他們?cè)谶@方面的努力取得成功，那么BPM及納米壓印技術(shù)自然會(huì)成為回憶。 垂直記錄增強(qiáng)技術(shù)：HAMR簡(jiǎn)介：
垂直記錄+HAMR盤片讀寫原理圖
隨著硬盤盤片存儲(chǔ)密度的增加，存儲(chǔ)信息用的磁顆粒尺寸也在不斷減小，而普通的小尺寸磁顆粒很容易在冷熱交變的工作環(huán)境下出現(xiàn)數(shù)據(jù)丟失的問題，為此需要提高磁顆粒的矯頑磁性（coercivity），但是矯頑磁性提升后普通的寫磁頭將無法完成數(shù)據(jù)寫入工作，因此需要利用磁顆粒的矯頑磁性可隨溫度上升而降低的特點(diǎn)，使用激光照射磁顆粒進(jìn)行加熱，降低其矯頑磁性，然后再使用寫磁頭進(jìn)行寫入。這就是HAMR技術(shù)得名的由來。 回到正題，Molecular Imprints公司的CEO Mark Melliar-Smith表示，他不愿意透露將被辭退的具體員工人數(shù)，不過他也沒有對(duì)外界盛傳的20位員工將被辭退的說法表示異議。“我們正在進(jìn)行一次小裁員行動(dòng)，而我們?cè)贑MOS芯片制造領(lǐng)域的成就其實(shí)仍在繼續(xù)進(jìn)展。在磁盤盤片制造領(lǐng)域，有關(guān)技術(shù)正式推出的日期可能會(huì)比我們?cè)阮A(yù)計(jì)的要遲2-3年。不過對(duì)硬盤盤片制作領(lǐng)域而言，納米壓印光刻技術(shù)一定會(huì)被采用，這只是個(gè)時(shí)間上的問題。” Molecular Imprints公司(以下簡(jiǎn)稱MII公司)在此次裁員之前，全公司的員工總數(shù)在120名左右。而過去幾年里，包括在最近一段時(shí)間的經(jīng)濟(jì)危機(jī)大背景下，這家公司一直在擴(kuò)充人馬，他們招聘了一批光刻研發(fā)專家，設(shè)備制造技術(shù)專家以及銷售人員等。這些情況與最近公司的裁員行動(dòng)形成了驚人的反差。有消息來源稱，公司的戰(zhàn)略是準(zhǔn)備開始在硬盤盤片制造領(lǐng)域取得顯著贏利，并計(jì)劃發(fā)行股票上市，然后再進(jìn)入亞20nm CMOS光刻市場(chǎng)。 Melliar-Smith表示此次裁員涉及的人員多數(shù)并非工程類職員，而主要涉及因硬盤盤片制造用納米壓印技術(shù)無法及時(shí)推出而受到影響的業(yè)務(wù)人員。 MII公司將希望寄托在硬盤廠商對(duì)納米壓印光刻設(shè)備的興趣上，理論上講，位元圖像介質(zhì)技術(shù)需要使用納米壓印光刻技術(shù)來制造盤片，這種技術(shù)不僅能滿足盤片性能方面的要求，而且還具備較高的產(chǎn)出量。目前以東芝為代表人物的一眾廠商仍在繼續(xù)開發(fā)BPM技術(shù)，不過實(shí)現(xiàn)BPM需要使用納米壓印光刻設(shè)備，而這類設(shè)備的成本則相比HAMR方案更貴,雖然HAMR技術(shù)的實(shí)現(xiàn)需要往硬盤中增加激光二極管寫入裝置，但這種裝置的成本僅數(shù)十美分左右。 日立全球存儲(chǔ)技術(shù)公司的BPM研發(fā)技術(shù)主要應(yīng)用了兩種技術(shù)：納米壓印光刻和定向自組裝技術(shù)(DSA)，這兩種技術(shù)的組合可以在保證盤片存儲(chǔ)密度的前提下降低制造設(shè)備的成本。
MII公司為其BPM客戶開發(fā)的NuTera 7000型納米壓印設(shè)備 MII公司目前為止開發(fā)出的硬盤盤片制造用納米壓印光刻設(shè)備已經(jīng)進(jìn)化到了第三代產(chǎn)品，他們目前為止共售出了13臺(tái)這樣的設(shè)備。去年，他們向一家硬盤廠商售出了一臺(tái)NuTera HD7000型設(shè)備，預(yù)計(jì)今明兩年MII有望取得有數(shù)十部這套設(shè)備的訂單。 然而，數(shù)周前，由幾家硬盤廠商組成的聯(lián)盟組織公開宣布他們現(xiàn)在不打算在商用化市場(chǎng)使用BPM技術(shù)盤片。據(jù)某消息來源稱，當(dāng)MII公司的投資者們聽說這個(gè)消息之后，便強(qiáng)烈要求MII公司進(jìn)行裁員。 Melliar-Smith稱：”我們認(rèn)為BPM是一項(xiàng)很有希望的技術(shù)。相信BPM和HAMR最終將并存，并將硬盤盤片的存儲(chǔ)密度提升到1-2TB/平方英寸的水平。“ Melliar-Smith曾在貝爾實(shí)驗(yàn)室任技術(shù)經(jīng)理，另外1990年代末他還曾為Sematech公司工作過數(shù)年，在今年的SPIE2011高級(jí)光刻技術(shù)會(huì)議上，他曾宣稱稱納米壓印技術(shù)在CMOS芯片制造方面取得了許多顯著進(jìn)展。而東芝公司的研究人員也宣稱應(yīng)用納米壓印技術(shù)制作的BPM盤片瑕疵密度已可達(dá)到每平方厘米0.1個(gè)的較低水平。而Sematech公司則在會(huì)上宣稱他們的納米壓印技術(shù)瑕疵率更低。 據(jù)消息來源透露，東芝的盤片制造技術(shù)采用的是MII的納米壓印機(jī)+佳能步進(jìn)光刻機(jī)的組合。當(dāng)被問及MII與佳能光刻部門的合作狀況時(shí)，Melliar-Smith承認(rèn)MII正在與一家光刻設(shè)備廠商合作，不過他稱無法透露這家設(shè)備廠商的名字。另外他還狡猾地表示：”如果某家大型半導(dǎo)體芯片廠商希望在其高端CMOS芯片制造過程中使用納米壓印技術(shù)，他們當(dāng)然不會(huì)孤注一擲，僅僅依靠我們這家在德州的小公司來達(dá)成目標(biāo)。“ 另：納米壓印技術(shù)與極紫外光刻(EUV),電子束直寫(EBDW)和定向自組裝(DSA)并稱為下一代芯片光刻技術(shù)(NGL)的四大候選人，不過目前僅EUV顯出王者之像，除了芯片制造之外，納米壓印的另一項(xiàng)重要應(yīng)用是用于制造BPM技術(shù)的硬盤盤片，目前制造納米壓印光刻設(shè)備的廠商主要有EV Group, Nanonex, Nanolithosolution, MII, Obducat以及Suss等幾家。 |
