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美國ISSI主要產品是高速低功耗SRAM和中低密度DRAM。主要為汽車，通信，數字消費者以及工業和醫療等市場提供存儲器產品。IS62WV102416DBLL是超低功耗CMOS 16Mbit靜態RAM，組織為1M字乘16位。它是使用ISSI的高性能CMOS技術制造的。這種高度可靠的工藝加上創新的電路設計技術，可生產出高性能和低功耗的設備。 IS62WV102416DALL/DBLL和IS65WV102416DALL / DBLL封裝在48引腳TSOP（I型）中。 功能說明 SRAM是隨機存取存儲器之一。每個字節或字都有一個地址，可以隨機訪問。 SRAM支持三種不同的模式。 待機模式 取消選擇時，設備進入待機模式（HIGH或CS2 LOW或兩者都為HIGH）。輸入和輸出引腳（I / O0-15）處于高阻抗狀態。根據輸入電平，此模式下的電流消耗為ISB1或ISB2。此模式下的CMOS輸入將最大程度地節省功率。 寫模式 選擇芯片時（LOW和CS2 HIGH），寫使能（）輸入LOW時的寫操作問題。輸入和輸出引腳（I / O0-15）處于數據輸入模式。即使為LOW，在此期間輸出緩沖區也會關閉。并啟用字節寫入功能。通過啟用LOW，來自I / O引腳（I / O0至I / O7）的數據被寫入該位置。 在地址引腳上指定。處于低電平時，來自I / O引腳（I / O8至I / O15）的數據被寫入該位置。 讀取模式 選擇芯片時（LOW和CS2為HIGH），寫使能（）輸入為HIGH時，讀操作出現問題。當為低電平時，輸出緩沖器打開以進行數據輸出。不允許在讀取模式下對I / O引腳進行任何輸入。并啟用字節讀取功能。通過啟用LOW，來自存儲器的數據出現在I / O0-7上。處于低電平時，來自內存的數據將出現在I / O8-15上。 在讀取模式下，可以通過拉高來關閉輸出緩沖器。在此模式下，內部設備作為READ操作，但I / O處于高阻抗狀態。由于器件處于讀取模式，因此使用有功電流。 工作溫度范圍 商用工作溫度為0°C至+ 70°C ，電壓為2.2V 3.3V 3.6V 工業工作溫度為-40°C至+ 85°C ，電壓為2.2V 3.3V 3.6V 汽車類工作溫度為 -40°C至+ 125°C，電壓為2.2V 3.3V 3.6V 規格書下載 
62-65WV102416DALL-DBLL.pdf
(1.13 MB)
ISSI 低功耗SRAM
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