衛(wèi)星上的邊緣計算和推理可實現(xiàn)近乎實時的數(shù)據(jù)分析和決策制定。隨著聯(lián)網(wǎng)設(shè)備的數(shù)量及其產(chǎn)生的數(shù)據(jù)量不斷增長，這一點變得愈發(fā)重要。為滿足太空應(yīng)用中的這些高性能計算需求，英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）旗下的Infineon Technologies LLC Memory Solution近日宣布推出采用英飛凌專利技術(shù)RADSTOP設(shè)計的最新抗輻射（rad hard）異步靜態(tài)隨機存取存儲器。全新產(chǎn)品專為高可靠性和高性能極為關(guān)鍵的太空及其它惡劣環(huán)境應(yīng)用而設(shè)計。
英飛凌抗輻射（rad hard）異步靜態(tài)隨機存取存儲器 在高性能太空計算中，數(shù)據(jù)緩沖所需要的內(nèi)存比MCU或 FPGA片上存儲器所能提供的內(nèi)存更多。存儲器必須為實時處理應(yīng)用提供更高的性能并具有卓越的抗輻射性能，以滿足在惡劣環(huán)境中的任務(wù)要求。英飛凌的全新抗輻射靜態(tài)隨機存取存儲器（SRAM）有8位、16位和32位寬配置，并帶有能進行單比特錯誤糾正的嵌入式糾錯碼（ECC）。這項先進技術(shù)使得糾錯碼（ECC）邏輯能夠在讀取周期內(nèi)檢測并糾正任何讀取數(shù)據(jù)字中的單比特錯誤。 英飛凌科技航空航天與國防業(yè)務(wù)副總裁兼研究員Helmut Puchner博士表示：“輻射效應(yīng)會導(dǎo)致靜態(tài)隨機存取存儲器（SRAM）中不可避免的比特錯誤，而使用系統(tǒng)級糾錯碼（ECC）會增加設(shè)計復(fù)雜性和延遲。英飛凌的RADSTOP異步靜態(tài)隨機存取存儲器（SRAM）提供了一種極其可靠的單芯片解決方案，可以在解決這些問題的同時，滿足航天工業(yè)對抗輻射性能的要求。” 英飛凌領(lǐng)先的RADSTOP技術(shù)通過自主設(shè)計和工藝強化技術(shù)實現(xiàn)了抗輻射性能，可滿足極端環(huán)境下的所有抗輻射要求。這款全新抗輻射存儲器獲得了QML-V認證，能夠確保在極端環(huán)境下的可靠性和生命周期要求。這些半導(dǎo)體器件的存取時間短至10 ns，是目前速度最快的選擇。此外，它們還為最高的密度和最低的靜態(tài)電流提供了最小的占板面積。RADSTOP存儲器解決方案擴展了整個系統(tǒng)的計算極限，同時具備尺寸、重量和功耗優(yōu)勢以及更大的設(shè)計靈活性。 供貨情況 英飛凌的抗輻射靜態(tài)隨機存取存儲器（SRAM）現(xiàn)已上市。了解有關(guān)高可靠性和抗輻射存儲器解決方案產(chǎn)品組合的更多信息，請訪問www.infineon.com/hirelmemory。 |
