|
ISSI生產的32Mb高速低功耗異步SRAM，這種創新的設計加強了ISSI對具有最高質量和性能的SRAM的長期承諾。32Mb SRAM在汽車A3溫度范圍（-40°C至+ 125°C）下提供12ns的訪問時間。 ISSI IS61/64WV204816ALL/BLL是高速32M位靜態RAM，組織為2048K字乘16位。它是使用ISSI的高性能CMOS技術制造的。 這種高度可靠的工藝加上創新的電路設計技術，可生產出高性能和低功耗的設備。 當CS＃為高電平（取消選擇）時，器件將進入待機模式，在該模式下，可以通過CMOS輸入電平降低功耗。使用芯片使能和輸出使能輸入可輕松擴展存儲器。激活的LOW Write Enable（WE＃）控制存儲器的寫入和讀取。數據字節允許訪問高字節（UB＃）和低字節（LB＃）。 該器件采用JEDEC標準的48引腳TSOP（TYPE I）和48引腳微型BGA（6mm x 8mm）封裝，應用范圍在汽車/工業/醫療/電信/網絡等。
SRAM存儲器是隨機存取存儲器之一。每個字節或字都有一個地址，可以隨機訪問。 SRAM支持三種不同的模式。每個功能在下面的“真值表”中進行了描述。 待機模式 取消選擇時，設備進入待機模式（CS＃高）。輸入和輸出引腳（I / O0-15）處于高阻抗狀態。此模式下的CMOS輸入將最大程度地節省功率。 寫模式 選擇芯片（CS＃）且寫使能（WE＃）輸入為LOW時發生寫操作問題。輸入和輸出引腳（I / O0-15）處于數據輸入模式。即使OE＃為LOW，在此期間輸出緩沖區也會關閉。 UB＃和LB＃啟用字節寫入功能。通過將LB＃設為低電平，將來自I / O引腳（I / O0至I / O7）的數據寫入地址引腳上指定的位置。且UB＃為低電平時，來自I / O引腳（I / O8至I / O15）的數據被寫入該位置。 讀取模式 選擇芯片時（CS＃為低電平），寫使能（WE＃）輸入為高電平時，讀操作出現問題。當OE＃為LOW時，輸出緩沖器打開以進行數據輸出。不允許在讀取模式下對I / O引腳進行任何輸入。 UB＃和LB＃啟用字節讀取功能。通過啟用LB＃LOW，來自內存的數據出現在I / O0-7上。且UB＃為低電平時，來自內存的數據出現在I / O8-15上。 在讀取模式下，可以通過將OE＃拉高來關閉輸出緩沖器。在此模式下，內部設備作為READ操作，但I / O處于高阻抗狀態。由于器件處于讀取模式，因此使用有功電流。 上電初始化 該器件包括用于啟動上電初始化過程的片上電壓傳感器。 當VDD達到穩定水平時，器件需要150us的tPU（上電時間）來完成其自初始化過程。 初始化完成后，設備即可正常運行。 規格書下載 
IS61-64WV204816ALL_BLL.pdf
(868.1 KB)
|
