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新智元報道 來源：Bloomberg 編輯：夢佳、雅新 【新智元導讀】美國舊金山法院近日發(fā)出逮捕令，將涉嫌竊取美國儲存大廠美光DRAM技術(shù)商業(yè)機密的三位嫌疑人列入通緝名單。三人包括福建晉華前總裁陳正坤，以及臺灣聯(lián)華電子公司的兩位工程師何建廷和王永銘，他們均曾供職美光。 據(jù)彭博社6月26日報道，美國舊金山法院在當?shù)貢r間6月24日發(fā)出逮捕令，將涉嫌竊取美國存儲大廠位于愛達荷州的美光DRAM技術(shù)商業(yè)機密的三位嫌疑人列入通緝名單。 三位嫌疑人當中有一位是大陸芯片制造商福建晉華前臺灣籍總裁陳正坤，另外兩位是臺灣聯(lián)華電子公司的兩位工程師何建廷和王永銘，他們都曾在美光任職。 案件審理歷時兩年，如罪名成立涉案人最高15年徒刑 案件還要回溯到2018年，美國司法部以「經(jīng)濟間諜罪」向臺灣聯(lián)華電子、福建晉華兩家公司，以及晉華總經(jīng)理陳正坤以及其他兩位聯(lián)電主管，提起了刑事和民事訴訟，指控這三人涉嫌竊取美國DRAM技術(shù)商業(yè)機密。 此后，美方和當事人律師之間一直在周旋，對當事人的傳訊也一再推遲。 當?shù)貢r間上周三就該案件進行了一場只有3分鐘的聽證會，涉案三人均未能參與庭審，舊金山的一位聯(lián)邦治安法官當天發(fā)布了逮捕令。 檢方表示：「當事人因為不同的理由，未能出庭。但對被告逐一發(fā)布逮捕令，是適當?shù)男袆樱卜险蟆！?br /> 而就在兩周前，臺中法院對于美光起訴聯(lián)電竊取商業(yè)機密一案已經(jīng)進行了宣判。何建廷被判刑5年6個月，罰金500萬新臺幣；王永銘被判4年6個月，罰金400萬新臺幣；聯(lián)電協(xié)理戎樂天判刑6年6個月，罰金600萬新臺幣。 聯(lián)電被判處罰金1億新臺幣(約合人民幣2390萬元)。聯(lián)電當時曾表示，將會提起上訴。 美國方面，一旦相關(guān)罪名成立，包括陳正坤等被起訴人將面臨經(jīng)濟間諜罪最重 15 年徒刑以及 500 萬美元罰款。另外，此案還涉及竊取營業(yè)秘密罪，涉案人面臨最重 10 年的徒刑。 值得注意的是，聯(lián)電和中國福建晉華一旦在美國被控罪名成立，可能面臨最高 200 億美元的罰款。 福建晉華方面表示「不認罪」，聯(lián)電方面也一直在進行無罪辯護。 值得關(guān)注的是，陳正坤是臺灣DRAM界老將，17年出任福建晉華總經(jīng)理，協(xié)助建廠。在此之前，他還是聯(lián)電的副總經(jīng)理。 陳正坤原為美光公司2013年收購的一家電子公司瑞晶的總經(jīng)理兼董事長，后來成為美光公司在臺灣一家子公司美光記憶體股份有限公司 (MMT) 的總裁。這家子公司負責為美光公司制造25nm DRAM芯片。在2015年，陳正坤從MMT辭職后，加入聯(lián)電擔任副總。 陳正坤曾被問及為什么要加入聯(lián)電和中國大陸 DRAM 技術(shù)合作研發(fā)計劃，陳正坤曾表示，當年瑞晶被美光兼并這件事對他的沖擊非常大，自主開發(fā) DRAM 技術(shù)一直是他心中的夢想。 美方對中方企業(yè)的發(fā)難已經(jīng)數(shù)見不鮮，此案背后的政治壓力可想而知。報道中指出，這三人都是臺灣公民，法律專家表示，他們沒有出庭美國法院的動機。中國大陸和臺灣和美國之間都沒有引渡條約。 美光與聯(lián)電、晉華糾葛始末 美光與聯(lián)電、晉華的訴訟案簡單回顧： 
中國DRAM進口依賴度極高，被寄予厚望的福建晉華卻因「禁令」折戟 DRAM作為半導體中的重要器件，憑借體積小、價格低、集成度高、功耗低、讀寫速度快等優(yōu)勢，一直是適用于內(nèi)存最好的介質(zhì)。 自1966年至今已經(jīng)過去近50年，DRAM市場累計創(chuàng)造了超過1萬億美元產(chǎn)值。在過去的十年里，DRAM的市場份額一直維持在50%以上，充分體現(xiàn)了技術(shù)上的可擴展性和市場的巨大需求。 上個世紀70年代，英特爾提出了一種新的設(shè)計，將DRAM存儲器單元的晶體管從四個減少到三個，成功將存儲空間提升到1024個字節(jié)。這也就是我們?nèi)缃袼肈RAM的技術(shù)原型。 發(fā)展至今，DRAM三巨頭三星、海力士、美光呈現(xiàn)三足鼎立的態(tài)勢，2019年市場占率分別為50.9％、29.2％、18.5％。
美光1978年成立于美國，是全球最大的半導體儲存和影像產(chǎn)品制造商之一。中國市場為美光最為重要的海外市場。美光在中國上海擁有一家研發(fā)中心，并在西安建有工廠，負責測試和封裝業(yè)務。美光科技目前在中國擁有近2300名員工。 美光嵌入式解決方案市場營銷部副總裁Jeff Bader曾表示，存儲技術(shù)是美光科技的核心競爭力，多年來，美光銷售主要在亞洲市場，而中國市場則是重中之重。 中國是DRAM領(lǐng)域最大市場，進口依賴度極高，存在較大的國產(chǎn)替代空間。 隨著國內(nèi)半導體產(chǎn)業(yè)的迅速發(fā)展，紫光國芯、福建晉華、合肥長鑫、長江存儲等國內(nèi)企業(yè)已逐漸躍入了公眾的視野。 目前，長鑫存儲已經(jīng)成為了國內(nèi)第一家DRAM供應商，將生產(chǎn)國產(chǎn)第一代 10nm 工藝級 8Gb DDR4 內(nèi)存芯片。競爭對手紫光則計劃于 2021 年在重慶建成研發(fā)中心和 DRAM 晶圓廠。 晉華集成是由福建省電子信息集團、及泉州、晉江兩級政府共同出資設(shè)立。一直以來，它專注于DRAM領(lǐng)域，與臺灣聯(lián)華電子開展技術(shù)合作。 福建晉華目前僅專注于利基型DRAM的生產(chǎn)制造，技術(shù)相對落后，首先導入的產(chǎn)品為25nm DRAM存儲器，在制程上大概落后三星3代左右。 原預估2018年9月正式投產(chǎn)，到2019年底一廠一期項目可實現(xiàn)月產(chǎn)6萬片12英寸晶圓的產(chǎn)能，到2020年底一廠二期也將達產(chǎn)6萬片。并適時啟動二廠的建設(shè)，到二廠達產(chǎn)時，總產(chǎn)能將達24萬片。 就在福建晉華即將投產(chǎn)之季，美光的訴訟接踵而至。2018年10月，美商務部還將晉華列入實體清單，使得該公司的生產(chǎn)計劃陷入停滯。2019年甚至傳出晉華或主動放棄DRAM，轉(zhuǎn)向晶圓代工，為了與美光和解。可以官網(wǎng)看出自2018年10月試產(chǎn)投片后，公司大事記并無更新。
說起聯(lián)電，它是臺灣第一家半導體制造企業(yè)，于1980年成立，比臺積電還要早成立七年，是真正意義上的臺灣半導體界開創(chuàng)者。 目前，聯(lián)電在成熟、特色工藝代工市場占據(jù)領(lǐng)先優(yōu)勢。但目前根據(jù)拓璞產(chǎn)業(yè)研究院公布的數(shù)據(jù)顯示，2019年聯(lián)電芯片代工市場份額約為7%，臺積電仍然是一騎絕塵，占到50%。而聯(lián)電在面板驅(qū)動IC領(lǐng)域的市場占率居全球首位，在有機發(fā)光二極管(OLED)驅(qū)動IC領(lǐng)域也居領(lǐng)先地位。 目前，聯(lián)電位列世界前五大晶圓代工廠之一，臺積電、三星、格芯、聯(lián)電、中芯國際。 從這場刑事案件來看，檢方如果獲勝，則要從晉華和聯(lián)電沒收從美光「竊取」技術(shù)所制造的芯片和獲取的收入，并在長達5年的時間內(nèi)禁止使用美光的機密技術(shù)。 彭博報道中稱，對福建晉華的起訴阻礙了中國大規(guī)模生產(chǎn)存儲芯片的愿望。 此外，也有臺媒提出，美國此番發(fā)難，歸根結(jié)底是想采取新的策略，借此打壓中國大陸大規(guī)模生產(chǎn)芯片的能力。 目前此案仍在進行中。 參考鏈接： https://zhuanlan.zhihu.com/p/94092768 https://wxn.qq.com/cmsid/20200627A0HBCP00 https://moore.live/news/231891/detail/ |
