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兆易創(chuàng)新GigaDevice（股票代碼 603986）今日在2020慕尼黑上海電子展上隆重亮相，并展示存儲器、MCU和傳感器三大產品線的重磅產品及相應的解決方案，覆蓋工業(yè)、汽車、5G、消費電子等多個應用領域，彰顯兆易創(chuàng)新在半導體領域豐富的產品結構與領先的技術實力。 近年來，隨著新興應用的不斷涌現(xiàn)，兆易創(chuàng)新持續(xù)加大產品研發(fā)力度，拓寬產品應用與業(yè)務范圍，力求實現(xiàn)存儲器、MCU和傳感器三大業(yè)務板塊的協(xié)同發(fā)展，不斷推動技術革新與產品結構優(yōu)化，為公司的可持續(xù)發(fā)展打下堅實的基礎。在鞏固兆易創(chuàng)新在工業(yè)、通信、汽車、消費電子等領域優(yōu)勢的同時，發(fā)力5G、AIoT、智慧城市等新興領域，為適應全新技術的需求和發(fā)展而做出不懈努力。 2020慕尼黑上海電子展于7月3日至5日在上海國家會展中心拉開帷幕，兆易創(chuàng)新展位位于5.2H館B134號，敬請蒞臨。 豐富的SPI NOR Flash，提供高性能、大容量、低功耗、小尺寸等多樣化組合 • 重磅推出國內首款2Gb大容量高性能SPI NOR Flash-GD25/GD55 B/T/X系列 兆易創(chuàng)新GD25/GD55 B/T/X系列產品可提供512Mb至2Gb的不同容量選擇，支持高速4通道以及兼容JEDEC xSPI和Xccela規(guī)格的高速8通道，主要面向需要大容量存儲、高可靠性與超高速數(shù)據(jù)吞吐量的工業(yè)、車載、AI以及5G等相關應用領域。 此次推出的GD25/55 B/T/X系列產品代表了SPI NOR Flash行業(yè)的最高水準，提供512Mb、1Gb和2Gb的容量選擇，分別采用3.3V和1.8V供電，具有多達18個主要型號的組合，并支持多種封裝形式。 • 安全可靠的車載數(shù)字組合儀表解決方案 兆易創(chuàng)新將重點展出多款采用GD25 SPI NOR Flash的車載數(shù)字組合儀表解決方案，該產品系列全面滿足車規(guī)級AEC-Q100認證，支持2Mb至2Gb多種容量，在汽車應用的嚴苛環(huán)境要求下，保證產品的安全性、可靠性與耐用性。同時，GD25車規(guī)級SPI NOR Flash還廣泛應用于汽車電子的相關部件，如智能座艙、ADAS多傳感器融合應用，以及車聯(lián)網(wǎng)應用等，并保有一定的市場份額。 國內領先的32位通用型MCU主流之選，打造GD32 MCU完整生態(tài) 兆易創(chuàng)新GD32 MCU作為中國32位通用MCU市場的主流之選，以累計超過4億顆的出貨數(shù)量、全球2萬多家客戶數(shù)量、24個產品系列350余款產品型號所提供的廣闊應用覆蓋率穩(wěn)居市場前列。 本次展會上，GD32 MCU聯(lián)合全球合作伙伴帶來了AIoT、電機控制和工業(yè)應用等豐富的開發(fā)生態(tài)展示，圍繞物體感測、信息傳輸、智能處理等物聯(lián)網(wǎng)三大應用熱點，展出了多種RTOS、IDE、開發(fā)套件和安全組件。針對電機控制的高精度和工業(yè)應用的高可靠性需求，展出了自主研發(fā)的無線變頻吸塵器方案、無人機方案和三相BLDC驅動方案，以及支持集成化、實時性、多任務和多線程的工控系統(tǒng)和智能電表等行業(yè)解決方案。 GD32 MCU將持續(xù)與第三方合作伙伴共同打造完善的產業(yè)生態(tài)，不斷推動MCU技術和產業(yè)生態(tài)的發(fā)展。 革新性突破，兆易創(chuàng)新高性能光學指紋識別方案 • 突破性的GSL7001光學指紋識別方案 GSL7001光學指紋識別方案采用CMOS傳感技術，是兆易創(chuàng)新首創(chuàng)的大像素、單芯片、螺紋調焦解決方案。它采用獨特的螺紋式3P鏡頭設計，搭配大像素尺寸傳感器芯片，焦距可以微調，更方便適應不同屏幕和結構，有效提升了方案的競爭力，為客戶提供OLED屏下指紋識別的極致體驗。 • 全新的GSL7253 TFT大面積光學指紋識別方案 GSL7253 TFT大面積光學指紋識別方案采用TFT based 傳感器技術，并配合兆易創(chuàng)新自研的ROIC、Gate IC組成高性能的指紋識別系統(tǒng)，具有面積大，安全性高，識別速度快等特點。 該方案能夠對應多指同時識別的場景，將單點識別升級為大面積識別，進而拓展到整個顯示面板尺寸，并通過多種方式提升用戶體驗，比如盲按解鎖，無固定位置解鎖，以及提供更高安全性和更廣闊場景的使用方式，如多指同時識別。 該方案傳感器使用專為屏下指紋自主設計的TFT pixel，基于α-Si工藝平臺，將開關比提升兩個量級，高至1E8，使其有更低的漏電和更好的采樣保持，從而提升了TFT sensor的信號捕捉能力。 |
