Everspin AEC認(rèn)證的汽車(chē)應(yīng)用MRAM
發(fā)布時(shí)間：2020-7-17 15:57
發(fā)布者：
英尚微電子
MRAM是一種使用電子自旋來(lái)存儲(chǔ)信息的存儲(chǔ)技術(shù)。MRAM具有成為通用存儲(chǔ)器的潛力-能夠?qū)⒋鎯?chǔ)存儲(chǔ)器的密度與SRAM的速度結(jié)合在一起，同時(shí)始終保持非易失性和高能效。Everspin MRAM可以抵抗高輻射，可以在極端溫度條件下運(yùn)行，并且可以防篡改。這使得MRAM適用于汽車(chē)，工業(yè)，軍事和太空應(yīng)用。Everspin總代理英尚微電子提供技術(shù)支持產(chǎn)品解決方案。
下面介紹Everspin AEC認(rèn)證的汽車(chē)應(yīng)用MRAM
MRAM非易失性存儲(chǔ)器幾乎可以在任何汽車(chē)系統(tǒng)中提高性能并降低成本
•以全總線速度保存數(shù)據(jù)
•意外斷電后立即恢復(fù)狀態(tài)
•提供AEC Q-100合格的1級(jí)（-40 / 125°C）和3級(jí)（-40 / 85°C）
保護(hù)有價(jià)值的數(shù)據(jù)并降低成本MRAM內(nèi)存是保留寶貴的車(chē)輛數(shù)據(jù)，簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)并降低BOM成本的最佳解決方案。
保護(hù)寶貴數(shù)據(jù)的最佳解決方案
•不需要額外的內(nèi)存用于磨損均衡
•消除了昂貴的電容器
•不再需要功率損耗檢測(cè)電路
•簡(jiǎn)化系統(tǒng)固件，始終保持非易失性
簡(jiǎn)化并降低BOM成本
•無(wú)限的耐用性，可安全保存程序代碼
•快速寫(xiě)入-以系統(tǒng)總線速度工作的內(nèi)存
•非易失性，數(shù)據(jù)保持溫度> 20年
•不需要電容器，電池或緩沖液
最大化控制系統(tǒng)的數(shù)據(jù)訪問(wèn)
MRAM在保持非易失性的同時(shí)最大化數(shù)據(jù)收集率
由于較長(zhǎng)的讀/寫(xiě)周期，耐用性限制而導(dǎo)致數(shù)據(jù)丟失
無(wú)遺漏數(shù)據(jù)，寫(xiě)入速度與SRAM一樣快，非易失性，無(wú)磨損，電源故障期間無(wú)數(shù)據(jù)丟失
MRAM像SRAM一樣是快速寫(xiě)入的，而像Flash一樣也是非易失性的，但是不需要頁(yè)面擦除或長(zhǎng)寫(xiě)入周期。事件數(shù)據(jù)可以以總線速度保存到MRAM，并且即使意外斷電或掉電也可以保持持久性。
Everspin AEC認(rèn)證的汽車(chē)應(yīng)用MRAM
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英尚微電子 發(fā)表于
2020-7-17 16:00:14
汽車(chē)應(yīng)用Serial MRAM
Density | Org. | Part Number | Pkg. | Voltage | Temp | Order Multiple /Tray | MOQ / T&R | 256Kb | 32Kx8 | MR25H256MDFR | 8-DFN sf | 3.3v | AEC-Q100 Grade 1 | 570 | 4000 | 256Kb | 32Kx8 | MR25H256MDCR | 8-DFN | 3.3v | AEC-Q100 Grade 1 | 570 | 4000 | 1Mb | 128Kx8 | MR25H10MDC | 8-DFN | 3.3V | AEC-Q100 Grade 1 | 570 | 4,000 | 256Kb | 32Kx8 | MR25H256MDC | 8-DFN | 3.3V | AEC-Q100 Grade 1 | 570 | 4,000 | 4Mb | 512Kx8 | MR25H40MDF | 8-DFN sf | 3.3V | AEC-Q100 Grade 1 | 570 | 4,000 | 1Mb | 128Kx8 | MR25H10MDF | 8-DFN sf | 3.3V | AEC-Q100 Grade 1 | 570 | 4,000 | 256Kb | 32Kx8 | MR25H256MDF | 8-DFN sf | 3.3V | AEC-Q100 Grade 1 | 570 | 4,000 | 256Kb | 32Kx8 | MR25H256AMDFR | 8-DFN sf | 3.3v | AEC-Q100 Grade 1 | 570 | 4000 | 256Kb | 32Kx8 | MR25H256AMDF | 8-DFN sf | 3.3v | AEC-Q100 Grade 1 | 570 | 4000 | 1Mb | 128Kx8 | MR25H10MDFR | 8-DFN sf | 3.3v | AEC-Q100 Grade 1 | 570 | 4000 | 1Mb | 128Kx8 | MR25H10MDCR | 8-DFN | 3.3v | AEC-Q100 Grade 1 | 570 | 4000 | 4Mb | 512Kx8 | MR25H40MDFR | 8-DFN sf | 3.3v | AEC-Q100 Grade 1 | 570 | 4000 | 128Kb | 16Kx8 | MR25H128AMDF | 8-DFN sf | 3.3v | AEC-Q100 Grade 1 | 570 | 4,000 | 128Kb | 16Kx8 | MR25H128AMDFR | 8-DFN sf | 3.3v | AEC-Q100 Grade 1 | 570 | 4,000 |
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英尚微電子 發(fā)表于
2020-7-17 16:02:50
汽車(chē)應(yīng)用Parellel MRAM
Density | Org. | Part Number | Pkg. | Voltage | Temp | MOQ(pcs) / Tray | MOQ(pcs)/ T&R | 4Mb | 256Kx16 | MR2A16AMYS35 | 44-TSOP2 | 3.3V | AEC-Q100 Grade 1 | 270 | 1,500 | 1Mb | 64Kx16 | MR0A16AMYS35 | 44-TSOP | 3.3V | AEC-Q100 Grade 1 | 270 | 1,500 | 4Mb | 512Kx8 | MR2A08AMYS35 | 44-TSOP | 3.3V | AEC-Q100 Grade 1 | 1,500 | 270 | 4Mb | 512Kx8 | MR2A08AMYS35R | 44-TSOP2 | 3.3v | AEC-Q100 Grade 1 | 1500 | 270 | 1Mb | 64Kx16 | MR0A16AMYS35R | 44-TSOP2 | 3.3v | AEC-Q100 Grade 1 | 270 | 1500 | 4Mb | 256Kx16 | MR2A16AMYS35R | 44-TSOP2 | 3.3v | AEC-Q100 Grade 1 | 270 | 1500 | 2Mb | 128Kx16 | MR1A16AMYS35 | 44-TSOP2 | 3.3v | AEC-Q100 Grade 1 | 270 | 1500 | 2Mb | 128Kx16 | MR1A16AMYS35R | 44-TSOP2 | 3.3v | AEC-Q100 Grade 1 | 270 | 1500 |
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