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經常有人將MRAM稱作是非易失性存儲器(NVRAM)未來的關鍵性技術。作為一項非易失性存儲器技術，MRAM存儲芯片是可以在掉電時保留數據并且不需要定期刷新。MRAM存儲芯片利用磁性材料和傳統的硅電路在單個器件中提供了SRAM的高速度和閃存的非易失性，它的壽命幾乎是沒有限制的。MRAM芯片器件可以用于高速緩沖器﹑配置內存,以及其他要求高速且耐用和非易失性的商業應用。 Everspin半導體在磁存儲器設計和制造及交付給相關應用方面的知識和經驗在半導體行業中是獨一無二的。包括40nm和28nm及更高工藝在內的先進技術節點上進行了全包交鑰匙的300mm大批量平面內和垂直MTJ ST-MRAM芯片生產。Everspin半導體在此生產基于180nm和130nm及90nm工藝技術節點的MRAM產品。Everspin半導體擁有600多項有效專利和申請的知識產權，在平面內和垂直磁隧道結（MTJ）STT-MRAM位單元的開發方面均處于市場領先地位。 作為一家將MRAM存儲芯片技術商業化的公司，Everspin通過不斷推出經濟高效而且可靠的非易失性存儲器來長期引導市場發展，例如Everspin MRAM MR2A16A 4Mb產品是一款商業Everspin MRAM器件，工作于商用級溫度范圍(o℃～+70℃)。 Everspin一款3V 4Mb的擴展溫度范圍為-40℃～+105℃的非易失性RAM(nvRAM)產品 MR2A16AV,從而擴展了其MRAM的產品系列。Everspin提供了新的擴展溫度范圍選擇，使MRAM存儲芯片可用于惡劣的應用環境，如工業、航空和和汽車應用設計等。在這類應用中,半導體存儲芯片產品必須能夠忍受惡劣的工作環境和極端的溫度范圍。 Everspin一種1Mb器件MR0A16A,擴展了商用MRAM產品系列。該存儲器件可為系統設計師提供另一種密度選擇，它針對的是主流嵌入式產品市場上的“最佳點(sweet spot)”。Everspin還計劃進一步擴展其MRAM產品系列。 |
| 經常有人將MRAM稱作是非易失性存儲器(NVRAM)未來的關鍵性技術。作為一項非易失性存儲器技術，MRAM存儲芯片是可以在掉電時保留數據并且不需要定期刷新。 |
| MRAM存儲芯片利用磁性材料和傳統的硅電路在單個器件中提供了SRAM的高速度和閃存的非易失性，它的壽命幾乎是沒有限制的。 |
| Everspin一款3V 4Mb的擴展溫度范圍為-40℃～+105℃的非易失性RAM(nvRAM)產品 MR2A16AV,從而擴展了其MRAM的產品系列。Everspin提供了新的擴展溫度范圍選擇，使MRAM存儲芯片可用于惡劣的應用環境，如工業、航空和和汽車應用設計等。在這類應用中,半導體存儲芯片產品必須能夠忍受惡劣的工作環境和極端的溫度范圍。 |
