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FRAM存儲器提供即時(shí)寫入功能，無限的耐用性和接近零的軟錯(cuò)誤率，以支持對功能安全標(biāo)準(zhǔn)的遵守。引起人們對用于汽車EDR的FRAM非易失性存儲技術(shù)的興趣，因?yàn)槠涫褂媒鉀Q了這些缺點(diǎn)。 這些吸引人的特性是鋯鈦酸鉛（PZT）是其中一種材料的鐵電性能的結(jié)果。PZT具有鈣鈦礦晶體結(jié)構(gòu)，中心有一個(gè)陽離子（見圖1）。該陽離子可以處于兩個(gè)位置之一，并且可以通過施加電場來切換位置。每個(gè)轉(zhuǎn)換都會產(chǎn)生“開關(guān)電荷”（Q s），可以將其讀取以表示邏輯1或0。  鐵電存儲器的操作與浮柵技術(shù)衍生的傳統(tǒng)可寫非易失性存儲器的操作完全不同，后者通過將電荷存儲在位單元中來工作。閃存或EEPROM存儲器使用電荷泵在芯片上產(chǎn)生高電壓（10 V或更高），并迫使電荷載流子通過柵極氧化物。這產(chǎn)生長的寫入延遲并且需要高的寫入功率，這對存儲單元具有破壞性。 相比之下，F(xiàn)RAM的寫入速度實(shí)際上是即時(shí)的-只需幾皮秒。由于持續(xù)時(shí)間短，該寫操作可由FRAM存儲芯片的固有電容供電。這意味著，一旦將數(shù)據(jù)提供給設(shè)備的引腳，就可以保證即使系統(tǒng)電源出現(xiàn)故障也可以存儲數(shù)據(jù)，并且無需電容器或任何其他外部電源。即時(shí)寫入速度還意味著板上無需高速緩沖SRAM或DRAM存儲器（見圖2）。 圖2：FRAM的快速寫入速度可保護(hù)使用EEPROM設(shè)備時(shí)可能丟失的關(guān)鍵數(shù)據(jù)。（來源：賽普拉斯半導(dǎo)體） 鐵電原理也具有無限的耐力。例如cypress半導(dǎo)體公司的Excelon-Auto FRAM存儲設(shè)備的額定寫入周期為100萬億次。這足以使其在20年內(nèi)每10 μs記錄一次數(shù)據(jù)，而無需使用復(fù)雜的磨損均衡軟件。 有效的汽車EDR實(shí)施將配對具有2 Mb或4 Mb密度的無限耐久性FRAM器件和高密度閃存。存儲器通常將配置為連續(xù)存儲最新的1到5 s的數(shù)據(jù)，而閃存陣列用于批量存儲較舊的數(shù)據(jù)。對于Excelon-Auto設(shè)備，有一個(gè)串行外圍設(shè)備接口，它使用標(biāo)準(zhǔn)的非易失性命令進(jìn)行配置以及讀寫操作。cypress代理商可提供相關(guān)產(chǎn)品技術(shù)支持。 |
