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什么是FRAM？ FRAM（鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）是一種非易失性存儲(chǔ)器，它使用鐵電薄膜作為電容器來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。FRAM兼具ROM（只讀存儲(chǔ)器）和RAM（隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）的特性，具有寫入速度更快、讀/寫循環(huán)壽命長(zhǎng)、功耗低等特點(diǎn)。 FRAM采用了哪些類型的應(yīng)用程序？ FRAM已被用于需要小密度內(nèi)存和頻繁數(shù)據(jù)寫入的應(yīng)用中。應(yīng)用示例是；OA設(shè)備（例如用于計(jì)數(shù)器和打印記錄的MFP），F(xiàn)A設(shè)備（例如用于存儲(chǔ)參數(shù)和數(shù)據(jù)記錄的測(cè)量設(shè)備和分析儀），金融終端（例如用于交易歷史的ATM）、基礎(chǔ)設(shè)施計(jì)量、汽車導(dǎo)航系統(tǒng)和音頻設(shè)備。 與傳統(tǒng)存儲(chǔ)器相比，F(xiàn)RAM是否有任何不同的控制或操作？ FRAM與傳統(tǒng)存儲(chǔ)器相比，F(xiàn)RAM產(chǎn)品使用起來(lái)沒(méi)有任何困難，因?yàn)镕RAM產(chǎn)品兼容EEPROM和低功耗SRAM等標(biāo)準(zhǔn)存儲(chǔ)器。帶串行接口（I2C，SPI）的FRAM兼容串行EEPROM或串行閃存功能。具有并行接口的FRAM可用作低功耗SRAM，稱為偽SRAM或電池備份SRAM。 FRAM執(zhí)行寫操作的速度有多快？ 非易失性存儲(chǔ)器的寫入時(shí)間在規(guī)格中指定為FRAM=150ns，EEPROM=10ms，F(xiàn)lash存儲(chǔ)器=10us，因此FRAM的寫入操作比EEPROM快7,0000倍。EEPROM和Flash存儲(chǔ)器在寫操作之前需要進(jìn)行字節(jié)或扇區(qū)擦除操作，這會(huì)導(dǎo)致更長(zhǎng)的寫時(shí)間。FRAM無(wú)需擦除操作即可在存儲(chǔ)單元中進(jìn)行覆蓋，因此，盡管是非易失性存儲(chǔ)器，但它具有更快的寫入特性。 FRAM、F-RAM和FeRAM是同一個(gè)嗎？ 所有FRAM、F-RAM和FeRAM均指鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。 什么是串行存儲(chǔ)器？I2C接口和SPI接口有什么區(qū)別？ 我們將具有串行總線接口（I2C和SPI）的FRAM產(chǎn)品定義為FRAM系列中的“串行存儲(chǔ)器”。 串行總線是一種以一位操作連續(xù)數(shù)據(jù)輸入和輸出的通信方式。 I2C串行總線接口是使用兩條信號(hào)線控制數(shù)據(jù)輸入/輸出的接口，“SCL”用于時(shí)鐘控制，“SDA”用于地址和數(shù)據(jù)控制。SPI接口是用四根信號(hào)線來(lái)控制它的操作，“SCK”為時(shí)鐘，“SI”為地址和數(shù)據(jù)輸入，“SO”為數(shù)據(jù)輸出，“CS”為片選。 深圳市英尚微電子有限公司是英尚國(guó)際有限公司在中國(guó)大陸設(shè)立的子公司，同時(shí)也是一家具有綜合競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)的電子元件產(chǎn)品供應(yīng)商及存儲(chǔ)方案技術(shù)提供商。以存儲(chǔ)芯片，半導(dǎo)體產(chǎn)品，單片機(jī)，藍(lán)牙芯片及微動(dòng)開(kāi)關(guān)等產(chǎn)品為主，獲得多個(gè)原廠品牌授權(quán)代理權(quán)，以專業(yè)行業(yè)經(jīng)驗(yàn)為客戶提供產(chǎn)品選型設(shè)計(jì)，協(xié)助客戶研發(fā)產(chǎn)品。業(yè)務(wù)范圍已涉及：網(wǎng)絡(luò)設(shè)備、移動(dòng)市場(chǎng)、M2M、消費(fèi)類電子、工業(yè)控制、游戲產(chǎn)業(yè)、智能儀表、汽車電子、存儲(chǔ)和服務(wù)器等行業(yè)。 |
